品种

直径

（mm）

类型

浓度

（cm^-3）

迁移率

(cm²/V.s)

电阻率

(W.cm)

位错密度

(cm^-2)

非掺InP

2”、3”

N

(0.8-3)×10¹⁶

(3.5- 4) ×10³

(5-6)×10⁴

S-InP

2”

N

(0.8-3)×10¹⁸

(4-8)×10¹⁸

(2.0-2.4) ×10³

(1.0-1.6) ×10³

<3×10⁴

<5×10²(60%面积)

3”

N

(0.8-3)×10¹⁸

(4-6)×10¹⁸

(2.0-2.4) ×10³

(1.3-1.6) ×10³

<5×10⁴

<1×10³(60%面积)

Zn-InP

2”、3”

P

(0.6-2) ×10¹⁸

(3-6)×10¹⁸

70-90

50-70

<5×10⁴

<5×10²(60%面积)

Fe-InP

2”

N

10⁷-10⁸

>2000

10⁷-10⁸

<3×10⁴

3”

N

10⁷-10⁸

>2000

10⁷-10⁸

<6×10⁴

多晶

N

(0.6-5)×10¹⁶

晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。

品种

直径

（mm）

类型

浓度

（cm^-3）

迁移率

(cm²/V.s)

位错密度

(cm^-2)

纯GaSb

2”、3”、4”

P

(1-3)×10¹⁷

600-700

<1000

Zn-GaSb

P

(5-100) ×10¹⁷

200-500

<2000

Te-GaSb

N

(1-20)×10¹⁷

2000-3500

<5000

晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。

品种

尺寸

类型

浓度

（cm^-3）

迁移率

(cm²/V.s)

位错密度

(cm^-2)

纯InAs

2”、3”

N

<4x10¹⁶

>2´10⁴

<5´10⁴

Sn-InAs

N

(5-20) ×10¹⁷

>2000

<5´10⁴

S-InAs

N

(1-10)×10¹⁷

>2000

<5´10⁴

晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。