磷化铟及新型半导体材料课题组主要研究方向是Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，包括InP、GaSb、InAs材料。这些材料已经被广泛应用到工业、国防及武器领域，现在从单晶制备到晶片加工再到清洗包装已经形成了一套完整成熟的工艺，已经可以批量生产大尺寸、高质量的Epi-ready(开盒即用)半导体晶片。

    随着新型半导体材料在一些全新领域的开发应用，课题组也不断锐意创新开发出了新型的半导体材料，其中包括ZnO和AlN材料。