所属各部门：

加强所内各科研方向之间的学术交流与相互了解，围绕半导体领域的重点攻关方向进行头脑风暴，形成轻松活跃的学术氛围，凝练新的科学与技术问题，碰撞出高度合作的全链条解决方案，为重大项目部署建言献策，半导体学术沙龙将于2025年11月19日在3号楼332会议室举行，诚邀各位老师和同学的参与！

本期主题-题目：氮化镓基材料与紫外激光器

报告人：杨静

主持人：杨华 蒋琦 吴江滨 伊晓燕  

联系人：贾政恺

时  间：2025年11月19日 14:30

地  点：中国科学院半导体研究所3号楼332

摘  要：氮化镓（GaN）材料体系光谱范围覆盖了从近红外到深紫外波段，是目前制备可见光和紫外光电子器件的理想材料。以GaN为核心材料的光电子器件在激光显示、激光加工、激光通信等领域有重要的应用价值，市场空间巨大。本报告将介绍GaN基紫外激光器应用、面临挑战以及本团队在GaN基紫外激光器方面的研究进展。

报告人简介：

杨静，女，中国科学院半导体研究所研究员，博导，国家高层次人才计划青年项目入选者。2010年在天津大学获得硕士学位，2015年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。2010-2012年在天津三安光电有限公司任外延工程师，2015年进入中国科学院半导体研究所工作，一直从事GaN基材料MOCVD生长、光电子器件制备及相关物理机理的研究工作。近五年主要关注GaN基紫外激光器和探测器领域，实现了多种高性能的紫外半导体激光器。发表SCI论文200余篇，授权专利10余项。