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SiC MOS器件的界面特性及可靠性研究
[2022-09-27]

SiC MOS器件的界面特性及可靠性研究

Research on interface characteristics and reliability of SiC MOS devices

【作者】 罗志鹏 中国科学院微电子研究所

【导师】 金智 中国科学院微电子研究所

SiC MOS器件的界面特性及可靠性研究