SiC MOS器件中SiC材料应力对SiO2/SiC界面的影响机理

Effect Mechanism of influence of Material Strain on SiO2/SiC Interface Characteristics in SiC MOS Devices

【作者】 王世海 中国科学院微电子研究所

【导师】 许恒宇 中国科学院微电子研究所

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