基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结构的增强型MIS-HEMT研究

Research of E-mode MIS-HEMT Based on Ultrathin Barrier(UTB) AlGaN / GaN Heterostructure

【作者】 赵瑞 中国科学院中国科学院大学微电子学院

【导师】 黄森 中国科学院微电子研究所

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