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STRAINED-LAYER EPITAXY OF GERMANIUM-SILICON ALLOYS
[2010-03-24]
标题: STRAINED-LAYER EPITAXY OF GERMANIUM-SILICON ALLOYS
作者: BEAN, JC
来源出版物: SCIENCE   卷: 230   期: 4722   页: 127-131   出版年: 1985
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