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双栅槽GaAs功率PHEMT器件研究
[2011-08-19]
学位论文题目：双栅槽GaAs功率PHEMT器件研究
作者： 陈震
学科专业： 微电子学与固体电子学
授予学位： 硕士
学位授予单位： 中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子中心
导师姓名： 吴德馨
学位年度： 2003

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