纳米相变存储单元的数值模拟研究
Modeling and Simulation of Phase Change Random Access Memory
【作者】 龚岳峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【导师】 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学位: 博士 培养单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 授予机构: 中国科学院大学
学科: 微电子学与固体电子学 学位授予时间: 2012-07-01
纳米相变存储单元的数值模拟研究.pdf