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纳米相变存储单元的数值模拟研究
[2020-04-14]


纳米相变存储单元的数值模拟研究

Modeling and Simulation of Phase Change Random Access Memory

【作者】 龚岳峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【导师】 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

学位: 博士 培养单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 授予机构: 中国科学院大学

学科: 微电子学与固体电子学 学位授予时间: 2012-07-01

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