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面向22nm及以下技术代CMOS器件SiGe源漏选择性外延技术研究 [2020-03-27] |
| 面向22nm及以下技术代CMOS器件SiGe源漏选择性外延技术研究 Investigation on SiGe Selective Epitaxy on Source and Drain for 22 nm CMOS Node and Beyond 【作者】 王桂磊 中国科学院微电子研究所 【导师】 赵超, 叶甜春 中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 学位： 工程博士 培养单位： 微电子研究所 授予机构： 中国科学院大学 学科： 电子与信息 学位授予时间： 2016-07-01
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