首 页 >> 单篇全文
GaSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited HfAlO
[2012-03-29]
Chen, W., X. Min, et al. (2012). "
GaSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited HfAlO as Gate Dielectric." 
Electrochemical and Solid-State Letters 15(3): H51-H54H54
附件下载