Ⅲ-Ⅴ族的InGaAs探测器由于其探测率高、工作温度高、抗辐照等特性在短波红外波段显示出明显的优势。随着航天遥感及成像领域对InGaAs探测器应用的进一步需求，大面阵、高性能、低成本的InGaAs探测器成为未来发展的方向。对于延伸波长InGaAs探测器（截止波长>1.7μm），由于与InP或GaAs衬底存在晶格失配，导致吸收层材料中存在较多的位错和缺陷，使得器件暗电流过大，降低暗电流对减小器件噪声、提高探测率而言显得异常迫切。本论文探索性地研究了高质量、低损伤、良好覆盖的感应耦合等离子化学气相沉积（ICPCVD）钝化工艺在台面结延伸波长InGaAs探测器件上的应用，并取得了相应成果。 开展了低温ICPCVD钝化工艺的研究，初步明确了ICPCVD钝化工艺的主要工艺参数。研究了BHF溶液处理+N2等离子清洗+ICPCVD沉积介质薄膜的表面钝化处理工艺，分别采用SiH4/N2和SiH4/N2O生长了SiNx和SiO2薄膜。采用正交试验的方法研究了ICP功率、RF功率、腔体压强等生长参数对薄膜性能的影响，对SiNx和SiO2薄膜沉积工艺均获得了致密性好、均匀、表面形貌良好且热稳定性好的薄膜生长条件。使用X射线光电子能谱（XPS）分析了ICPCVD工艺生长的SiNx薄膜，采用高斯方法对Si 2p峰位进行了分峰拟合，根据拟合曲线计算的Si0、Si+1、Si+2、Si+3和Si+4峰面积成分分别为5.0%、4.8%、18.2%、36.4%和35.6%，与文献报道的优化PECVD工艺生长的SiNx薄膜相比，表现出了更优异的成键特性和薄膜质量。 以延伸波长InGaAs外延材料为基础，分别使用ICPCVD工艺和PECVD工艺生长的SiNx薄膜，制备了MIS结构器件。采用高频C-V曲线的方法计算了不同工艺所制备MIS器件的快（慢）界面态密度、表面固定电荷密度、衬底掺杂浓度、薄膜电阻率。与PECVD工艺器件相比，ICPCVD工艺MIS器件慢界面态密度从3.61×1012cm-2降低为1.74×1012cm-2，但是PECVD工艺MIS器件与ICPCVD工艺MIS器件快界面态密度、表面固定电荷密度与薄膜电阻率没有显示出明显的差异。 研制了n on p结构的截止波长到2.4μm延伸波长的8×1元线列In0.78Ga0.22As探测器，器件采用了ICP刻蚀台面成型的深台面结工艺，采用了ICPCVD沉积的SiNx薄膜作为钝化膜，在沉积薄膜之前，材料表面经过3：6：10的氢氟酸缓冲液（BHF）处理和ICP源激发N2等离子体进行预清洗。结果显示器件侧面电流很小，体现出了良好的表面钝化工艺，器件表现出较好的暗电流特性，在200K和300K温度下暗电流密度分别为94.2nA/cm2和5.5×10-4A/cm2，器件在室温下长波截止波长约为2.37μm。研制了n on p结构的截止波长到2.6μm延伸波长的8×1元线列In0.83Ga0.17As探测器，两种吸收层浓度分别为1×1016cm-3和3×1016cm-3的材料结构，分别采用了PECVD和highrate模式ICPCVD钝化工艺，结果显示采用ICPCVD钝化工艺的器件总电流和侧面电流更小，分析表明体电流主要成分为扩散电流和产生复合电流，对PECVD工艺钝化器件侧面电流主要表现为欧姆电流和表面产生复合电流，而ICPCVD工艺钝化器件侧面电流表现为表面产生复合电流。 研究了不同N2/SiH4流量比及衬底温度对ICPCVD生长的SiNx薄膜沉积速率、BHF湿法腐蚀速率、粘附力、元素成分、退火状态的影响，研究了优化工艺在延伸波长InGaAs探测器件上的应用并有效降低了器件暗电流，分析了不同钝化工艺薄膜的界面特性。基于不同工艺制备了MIS器件，对比研究了常规工艺（实验3）和提高衬底温度的实验7工艺SiNx薄膜与延伸波长InGaAs外延材料之间的界面特性，与实验3工艺MIS器件相比，实验7工艺MIS器件界面态密度、固定电荷密度、慢界面缺陷均有所降低，且损耗更小。制备了采用不同钝化工艺的p on n结构延伸波长InGaAs探测器，与工艺3相比，增加N2/SiH4流量比的工艺4暗电流得到有效降低，而N2/SiH4流量比减小的工艺1暗电流密度有所增加，提高衬底沉积温度的工艺7暗电流也得到了一定程度降低。对于实验4工艺器件，通过增加N2/SiH4流量比可以得到N/Si元素比接近于4/3的质量更好的SiNx薄膜，使器件钝化效果得到进一步提高，而对于实验7工艺器件，通过提高衬底沉积温度使钝化膜与延伸波长InGaAs材料之间的界面特性得到改善，器件钝化效果也得到提高。 综上所述，本文研究了ICPCVD介质薄膜生长工艺参数；研究了ICPCVD与PECVD工艺所生长SiNx钝化膜与延伸波长InGaAs外延材料特性；将ICPCVD钝化膜应用于延伸波长InGaAs探测器件；优化薄膜沉积工艺并有效降低器件暗电流。这些工作对于ICPCVD薄膜沉积工艺有一定参考和指导价值，对于半导体器件表面特性与钝化工艺的改善有一定研究意义。