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4H-SiC MOS器件欧姆接触工艺研究 [2024-10-24] |
| 【作者】 葛念念 中国科学院微电子研究所 【导师】 金智 中国科学院微电子研究所 学位： 博士 培养单位： 微电子研究所 授予机构： 中国科学院大学 学科： 微电子学与固体电子学 学位授予时间： 2023-07-01 4H-SiC_MOS器件欧姆接触工艺研究.pdf |
