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空间辐射环境下SiC MOSFET的长期可靠性退化机理研究 [2024-10-24] |
| 【作者】 梁晓雯 中国科学院新疆理化技术研究所 学位： 博士 培养单位： 新疆理化技术研究所 授予机构： 中国科学院大学 学科： 微电子学与固体电子学 学位授予时间： 2023-07-01 空间辐射环境下SiC_MOSFET的长期可靠性退化机理研究.pdf |
