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SiC MOS器件栅氧界面特性及可靠性失效机理研究 [2024-10-23] |
| 【作者】 万彩萍 中国科学院微电子研究所 【导师】 叶甜春 中国科学院微电子研究所 学位： 博士 培养单位： 微电子研究所 授予机构： 中国科学院大学 学科： 微电子学与固体电子学 学位授予时间： 2023-07-01 SiC_MOS器件栅氧界面特性及可靠性失效机理研究.pdf |
