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SiC MOSFET栅氧化层可靠性和NBTI效应研究 [2024-08-05] |
中国科学院大学 硕士学位论文 SiC MOSFET栅氧化层可靠性和NBTI效应研究 作者姓名:刘建君指 导教师:白云 研究员 学位类别:工程硕士 学科专业:集成电路 工程培养单位:中国科学院大学微电子学院 2021年6月 SiC_MOSFET栅氧化层可靠性和NBTI效应研究.pdf |