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SiC MOSFET栅氧化层可靠性和NBTI效应研究
[2024-08-05]

中国科学院大学

硕士学位论文


SiC MOSFET栅氧化层可靠性和NBTI效应研究


作者姓名:刘建君指

导教师:白云 研究员

学位类别:工程硕士

学科专业:集成电路

工程培养单位:中国科学院大学微电子学院


2021年6月



SiC_MOSFET栅氧化层可靠性和NBTI效应研究.pdf