世界著名物理学家黄昆教授荣获2001年度中国国家最高科学技术奖。为弘扬黄昆先生的科学精神和他在开创我国固体物理学及半导体物理学事业所做出的杰出贡献，鼓励在科学上做出突出贡献的我国固体物理学和半导体物理学工作者，根据广大科技工作者的意愿，征得黄昆先生的同意，并经中华人民共和国科学技术部批准，设立“黄昆固体物理和半导体物理科学研究奖”(简称“黄昆奖”)。

2005年5月21日，“黄昆固体物理与半导体物理科学研究奖”第一次理事会扩大会议在中科院半导体所举行。出席会议的有：中科院半导体所郑厚植院士，北京大学甘子钊院士，清华大学朱邦芬院士，中科院理论物理所于渌院士，北京大学秦国刚院士，南京大学郑有炓院士，国家科技部奖励办社会奖励处原京处长，中科院半导体所李树深研究员，以及半导体所财务资产处张晓雪代处长、图书信息中心阎军副主任。

会议由郑厚植院士主持。他首先对大家在“黄昆奖”筹备至今的工作以及科技部给予的大力支持表示感谢，回顾了自黄昆先生获得国家最高科技奖至提出设立“黄昆奖”的思路，以及“五一”前看望黄昆先生的情况。

科技部国家奖励办原京处长在致辞中表示，国务院、科技部、国家奖励办非常支持设立“黄昆奖”。目前，科技界的观念正在转变，学会、科学家等社会力量设立的奖项在学术界声望很高，正在取代政府奖成为科技奖励的主体。希望“黄昆奖”在各位院士、专家的支持下，通过规范化、科学公正的运作，把品牌树立起来，把权威树立起来，并考虑与国际接轨。

张晓雪汇报了“黄昆奖”基金运作情况，各位与会专家对此提出了很好的建议。

会议的大部分时间里，各位与会专家逐字逐句修改了“黄昆奖”章程草案，讨论了运作原则和方式以及若干评奖方针，并建议积极开展必要的宣传。

"黄昆奖"网站: http://159.226.228.70:8000/hkfund/default.asp

黄昆先生简介:

黄昆，男，1919年9月出生于北京，1941年毕业于燕京大学物理系，1945-1948年赴英国布里斯托大学(Bristol)留学，获哲学博士学位，1948-1951年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员，1951-1977年在北京大学物理系任教授，1977-1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983年至今，任名誉所长。

　黄昆先生先后被选为中国科学院学部委员(院士)(1955年)，瑞典皇家科学院外籍院士(1980年)，1987-1991年曾任中国物理学会理事长。黄昆院士是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。

　黄昆先生从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后称为"黄散射"。这个理论在六十年代获实验证实，黄散射已发展成为宜种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以"黄-里斯因子"而著称于世。提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的"黄方程"和由此引申的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与 M. Born 合著的《晶格动力学》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。他的理论对信息产业(特别是光电子产业)具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。近年来，他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统的富有成效的研究，为我国科技事业作出了重要贡献。

　黄昆先生热爱祖国，热爱科技事业。半个世纪以来，他不仅对固体物理学做出了重大贡献，同时还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学做出了重要贡献。

　黄昆先生先后在国内外获得过包括2001年度国家最高科学技术奖等在内的多项科技和荣誉奖励。

"黄昆奖"理事会秘书处

2005年6月16日