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第四届中、日、印、新宽禁带化合物半导体论坛联合研讨会在西安召开
2011-09-19 点击次数:

    2011年9月4日,第四届中、日、印、新宽禁带化合物半导体论坛联合研讨会在西安曲江国际会展中心胜利召开。此次会议是基于2007年5月由中科院半导体所和日本名古屋工业大学签署的“中日2007年-2012年合作协议”的基础上发起召开的第四届联合研讨会。
    中山大学是此次会议的主办单位,来自中科院半导体所、中山大学、华南师范大学、日本名古屋工业大学、新加坡南洋理工大学的众多专家和学者参加了研讨会。会议开始前佛山市中山大学研究院院长兼中山大学半导体照明系统研究中心主任王钢教授和和日本名古屋工业大学的江川孝志教授分别代表中方和日方的参会代表作了热情洋溢的致辞,并预祝研讨会取得圆满成功。
    此次会议的主要内容包括3个方面:硅基氮化镓基HEMT器件最新研究成果;氮化镓基材料生长及表征;氮化镓基LED器件及工艺。我所王军喜研究员在研讨会上作了精彩的报告,详细介绍了我所在深紫外LED研发方面取得的显著成绩。我所郭恩卿博士、汪炼成博士等青年学者也分别做了垂直结构LED工艺、石墨稀透明导电薄膜LED研发等方面的精彩报告。
    此次会议使中日印新参会代表进一步增进了了解,并由此产生了新的合作意愿和计划。参会各方非常满意,将继续在相关材料和器件的研发方面做到优势互补的合作。


 
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