研究方向
站内搜索
其他子站链接
 
 首 页 >> 研究方向
新型衬底GaN基材料的外延技术

围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标,通过公关研究,初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台,可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术;掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术,成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心,为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。


 
网站导航 | 地理位置 | 联系我们
版权所有 © 中国科学院半导体研究所