研究方向
站内搜索
其他子站链接
 
 首 页 >> 研究方向
紫外LED用AlGaN材料生长研究

    半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段,是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。

    通过详细研究铝镓氮材料生长的预反应问题,解决了外延晶体质量差、容易在表面形成由于应力而产生的裂纹等问题。获得了无裂纹的高结晶质量铝镓氮材料,大幅度改善了铝镓氮材料的晶体质量,其(0002)面的X射线双晶衍射半高宽小于200弧秒,表面AFM测试表明其粗糙度小于1nm,并获得了Al组分高达85%的AlGaN材料;铝镓氮材料的CL发光波长为260nm。实现了深紫外UVLED器件的300nm以下室温荧光发光,并在国内首次制备成功了300nm以下的深紫外LED器件,波长为280nm的深紫外器件在20mA连续驱动电流下输出功率大于0.6mW。


 
网站导航 | 地理位置 | 联系我们
版权所有 © 中国科学院半导体研究所