王国伟，光电材料与器件全国重点实验室研究员，博士生导师。2007年本科毕业于山东大学，2012年7月于中国科学院半导体所获理学博士学位。2012年9月，入职中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，现在光电材料与器件全国重点实验室主要从事中红外光电材料及高性能光电器件的研究工作。

以通讯或第一作者在Appl. Phys. Lett..; J. Cryst. Growth.; Infrared Physics & Technology.; Journal of Lightwave Technology; Journal of Semiconductors等期刊发表论文50多篇，授权中国发明专利15项。先后获得科技部，基金委，装法等多个重点项目的资助。

    联系方式：

    wangguowei@semi.ac.cn, 010-82304702

      主要研究领域方向：

1、锑化物红外探测材料分子束外延生长技术

2、锑化物高性能光电器件设计及工艺制造技术

在研/完成项目：

1、装备项目，高性能组件技术，2022 -2025

2、高技术项目，高性能探测薄膜技术，2019 -2025

3、纳米异质结材料与器件微结构表征及性能评估，2025 -2029

代表性论文：

[1]. Xie, R., Y. Shan, Y. Liang, L. Yao, X. Su, D. Wu, H. Hao, D. Jiang, G. Wang, Y. Xu, H. Ni and Z. Niu (2025) "Extended Short-Wave Infrared Barrier Structure Focal Plane Array Based on InGaAs/GaAsSb Type-II Superlattices." Journal of Lightwave Technology 43, 5: 2271-2276

[2]. Shan, Y., Y. Zhang, L. Yao, R. Xie, Q. Pang, D. Wu, D. Jiang, G. Wang, H. Hao, Y. Xu, H. Ni and Z. Niu (2025) "High operating temperature mid-wavelength infrared InAsSb nBn detectors and focal plane array." Opt Express 33, 2: 2772-2782

[3]. Lv X, Xie H, Li C, Yang W, Bai Y, Wang G, et al.(2025), Insight into the mechanism of lattice damage in ground and polished InAs substrates. J Vac Sci Technol A 43(3): 033208.

[4]. Liang Y, Zhou W, Zhang X, Chang F, Li N, Shan Y, et al. (2024), InP-based high-performance extended short wavelength p-B-n infrared photodetector with InGaAs/GaAsSb type-II superlattice absorption layer. Appl. Phys. Lett. 125(14): 141103.

[5]. Liang, Yan, Wenguang Zhou, Xiangbin Su, Nong Li, Faran Chang, Ruoyu Xie, Hongguang Yu, Janmei Shi, Chuanbo Li, Hongyue Hao, Chengao Yang, Guowei Wang, Dongwei Jiang, Donghai Wu, Zhichuan Niu, Youdou Zheng, Yingqiang Xu and Yi Shi (2024) InP-based GaAsSb/AlGaAsSb/T2SL barrier-type low-bias tunable dual-band NIR/eSWIR photodetectors. Optics Express2024, 32(13): 23822-23830.