刘雄华，男，博士，研究员，硕士生导师
个人简介：
1982年出生于湖北省汉川市。2012年毕业于中国科学院金属研究所，获得工学博士学位，博士期间，于2010年－2011年在美国宾夕法尼亚州立大学物理学院交流学习1年。随后，于2012年－2017年在德国马克斯∙普朗克固体化学物理研究所开展博士后研究工作。2018年加入中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。
主要从事磁性薄膜材料的设计、生长、物性调控以及自旋电子学相关研究，发表SCI论文50余篇，以第一/通讯作者在Adv. Mater.、Natl. Sci. Rev.、ACS Nano、npj Quantum Mater.、Phys. Rev. Applied、Phys. Rev. B等期刊上发表论文30余篇，其中top期刊20余篇。担任Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. B、Phys. Rev. Mater.、Adv. Mater.、Nano Research、J. Mater. Sci. Tech.等多家期刊的审稿人。主持（参与）承担科技部、国家基金委、中国科学院、北京市基金委的多项科研任务。
2010年获得中国科学院院长优秀奖。
主要科研方向：
1. 低维拓扑磁性材料的设计及外延生长（分子束外延（MBE）和脉冲激光沉积（PLD））
2. 拓扑自旋器件的设计制备及多场调控
3. 新型拓扑自旋信息器件
主要学术成就：
1. 系统研究了经典磁性材料Fe3O4中金属-绝缘体相变（Verwey transition）并取得了一系列重要成果：利用MBE技术制备出极高质量的Fe3O4薄膜体系，借助应变设计，近80年来首次实现了超过单晶块体的相转变温度，发现了外磁场和应变对Verwey transition的高效调制作用。
2. 实现了室温下电流诱导自旋轨道矩效应高效操控反铁磁界面自旋，利用层间交换耦合（IEC）调控自旋电子器件的磁性和自旋输运性质，促进了新型自旋电子器件的创新设计。
3. 利用拓扑反铁磁Mn3Sn自身非平衡局域自旋积累首次实现了室温下具有稳定、强读出信号的全电控自旋翻转；进一步，设计并重构了Mn3Sn的自旋织构，首次实现了室温下基于金属反铁磁体系的斯格明子。
在研/完成项目：
1. 中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划，2024 － 2028，200万，在研，主持子课题
2. 国家自然科学基金，面上项目，2024 － 2027，67万，在研，主持
3. 国家自然科学基金，联合基金，2024 － 2026，55万，在研，主持
4. 国家重点研发计划，2022 － 2027，157万，在研，主持子课题
5. 北京市自然科学基金，面上项目，2021 － 2023，20万，结题（优秀），主持
代表性论文或著作（#第一作者，*通讯作者）：
1. X. H. Liu,* D. Zhang,* Y. Deng, N. Jiang, E. Zhang, C. Shen, K. Chang, and K. Wang,* ACS Nano 18, 1013 (2024).
2. X. H. Liu#*, Q. Y. Feng#, D. Zhang#, Y. C. Deng, S. Dong, E. Z. Zhang, W. H. Li, Q. Y. Lu*, K. Chang, K. Y. Wang*, Advanced Materials 35, 2211634 (2023).
3. Y. C. Deng#, X. H. Liu#, Y. Y. Chen#, Z. Z. Du#, N. Jiang, C. Shen, E. Z. Zhang, H. Zheng, H.-Z. Lu*, and K. Y. Wang*, National Science Review 10, nwac154 (2023).
4. N. Jiang#, Y. C. Deng#, X. H. Liu*, D. Zhang, E. Zhang, H. Zheng, K. Chang, C. Shen*, K. Y. Wang*, Appl. Phys. Lett. 123, 072401 (2023).
5. E. Z. Zhang, S. G. Zhu, W. H. Li, X. Lin, Y. C. Deng, X. H. Liu*, and K. Y. Wang*, Phys. Rev. B 107, 214440 (2023).
6. X. H. Liu*, Y. C. Deng, X. K. Lan, R. Z. Li, and K. Y. Wang*, Sci. China-Phys. Mech. Astron. 64, 267511 (2021).
7. E. Z. Zhang, Y. C. Deng, X. H. Liu*, X. Z. Zhan, T. Zhu, and K. Y. Wang*, Phys. Rev. B 104, 134408 (2021).
8. Z. P. Zhou, X. H. Liu*, and K. Y. Wang*, Appl. Phys. Lett. 116, 062403 (2020).
9. X. H. Liu*, K. W. Edmonds, Z. P. Zhou, and K. Y. Wang*, Phys. Rev. Applied 13, 014059 (2020).
10. X. H. Liu*, C. F. Chang, L. H. Tjeng, A. C. Komarek, and S. Wirth, J. Phys.: Condens. Matter 31, 225803 (2019).
11. X. H. Liu*, W. Liu, Z. M. Dai, S. K. Li, T. T. wang, W. B. Cui, D. Li, A. C. Komarek, C. F. Chang, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 111, 212401 (2017).
12. X. H. Liu*, W. Liu, Z. D. Zhang, Phys. Rev. B 96, 094405 (2017).
13. X. H. Liu*, C. F. Chang, A. D. Rata, A. C. Komarek, and L. H. Tjeng*, npj Quantum Materials 1, 16027 (2016).
14. X. H. Liu, A. D. Rata, C. F. Chang, and L. H. Tjeng, Phys. Rev. B 90, 125142 (2014).
15. X. H. Liu, W. Liu, S. Guo, F. Yang, X. K. Lv, W. J. Gong, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 082501 (2010).
16. X. H. Liu, W. Liu, S. Guo, W. J. Gong, J. N. Feng, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 97, 072502 (2010).
17. X. H. Liu, W. Liu, F. Yang, X. K. Lv, W. B. Cui, S. Guo, W. J. Gong, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 95, 222505 (2009).
18. X. H. Liu, W. Liu, W. J. Hu, S. Guo, X. K. Lv, W. B. Cui, X. G. Zhao, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 93, 202502 (2008).
个人联系方式：
个人网站：
https://people.ucas.edu.cn/~xionghualiu