刘兴昉

刘兴昉,男,博士,副研究员,硕士生导师。

1999年毕业于中南大学材料系,获工学学士学位,2004年毕业于中南大学粉冶所,获工学硕士学位,2007年毕业于中国科学院半导体研究所,获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究,工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究,主持多项课题研究工作,获得北京市产品质量创新成果奖一项,在国内外学术期刊上发表研究论文40余篇,获得国家授权专利8项。 

主要研究领域及方向: 

碳化硅半导体、石墨烯及相关设备研究开发 

联系方式: 

E-mailliuxf@mail.semi.ac.cn 电话:010-82304101 

主持课题研究: 

  1. 4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究,国家自然科学基金,2016.1-2019.12

  2. SiC IGBT外延缺陷转化机理及控制技术研究,国家重点专项子课题,2018.7-2021.6

  3. 4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究,国家自然科学基金,2013.1-2016.12 

  4. 用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究,北京市自然科学基金,2013.1-2015.12

  5. 国产6英寸碳化硅外延材料制备技术研究,北京市科技计划,2016.1-2017.12

  6. 外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究,中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目,2008.10-2010.11

  7. 先进功率半导体材料与器件研究,企业攻关项目,2010.5-2012.6

参与课题研究: 

  1. 基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究,国家重点专项课题,2016.7-2021.6

  2. 分布式智能电网关键技术研究,中国科学院知识创新工程,2009.10-2012.9 

  3. 半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究,北京市科委项目,2009.7-2010.8 

  4. 大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统,中国科学院重大科研装备项目,2007.10-2009.9 

代表性论文:

  1. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Chen, J.; He, Y.W.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Guan, M.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth 2019507, 283-287.

  2. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Liu, B.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Chen, J.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth 2018504, 7-12.

  3. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Tian, L.X.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Guan, M.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition. ECS Journal of Solid State Science and Technology 2017, 6, P27-P31.

  4. Liu, X.F.*; Chen, Y.; Sun, C.Z.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Surface Evolution of Nano-Textured 4H-SiC Homoepitaxial Layers after High Temperature Treatments: Morphology Characterization and Graphene Growth. Nanomaterials 2015, 5, 1532-1543.

  5. Liu, X.F.*; Sun, G.S.; Liu, B.; Yan, G.G.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Chen, Y.; Dong, L.; Zheng, L.; Liu, S.B.; Tian, L.X.; Wang, L.; Zhao, W.S.; Zeng, Y.P. Growth of Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene-Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon Sources. Materials 20136, 1543-1553.

  6. Liu, X.-F.*; Sun, G.-S.; Liu, B.; Yan, G.-G.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Dong, L.; Zheng, L.; Liu, S.-B.; Tian, L.-X.; Wang, L.; Zhao, W.-S.; Zeng, Y.-P. Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates. Chinese Physics B 2013, 22, 086802.

  7. Liu, B.; Sun, G.-S.; Liu, X.-F.*; Zhang, F.; Dong, L.; Zheng, L.; Yan, G.-G.; Liu, S.-B.; Zhao, W.-S.; Wang, L.; Zeng, Y.-P.; Li, X.-G.; Wang, Z.-G.; Yang, F. Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4 degrees off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2 System. Chinese Physics Letters 201330, 128101.

  8. 刘兴昉*,闫果果,等,P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究,智能电2017, 5(8): 752-756.

授权专利:

  1. 刘兴昉,刘斌,等,一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法,专利号:201510490653.7,授权日期:2018.04.20

  2. 刘兴昉,刘斌,等,碳化硅外延层区域掺杂的方法,发明,专利号:201510490656.0,授权日期:2017.10.24

  3. 刘兴昉,刘斌,等,用于碳化硅生长的高温装置及方法,发明,专利号:201510008972.X,授权日期:2017.10.27

  4. 刘兴昉,刘斌,等,一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法,发明,专利号:201310315012,授权日期:2016.03.02

  5. 刘兴昉,郑柳,等,连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置,发明,专利号:201110267894.7,授权日期:2013.09.18

  6. 刘兴昉,董林,等,HTCVD法碳化硅晶体生长装置,发明,专利号:201110264570.8,授权日期:2013.06.12

  7. 刘兴昉,孙国胜,等,用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法,发明,专利号:200610126999,授权日期:2009.07.15

  8. 刘兴昉,孙国胜,等,一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法,发明,专利号:200710304217,授权日期:2011.05.25