潘 东

潘东,男,博士,副研究员,硕士生导师。

198410月生20146于中国科学院半导体研究所凝聚态物理专业理学博士学位,之后留所工作至今。2017年入选中国科学院青年创新促进会现为半导体超晶格国家重点实验室副研究员。

取得的重要科研成果及所获奖励:

长期从事III-V族半导体材料的分子束外延可控制备,在高品质窄禁带半导体纳米线/片及其异质结构的可控生长以及输运性质研究上取得了多项重要进展。主要包括:(1) 用分子束外延技术国际上首次在Si衬底上成功地生长出高质量纯相超细(直径10纳米)InAs纳米线,利用这种纯相超细InAs纳米线制成MOSFET开关比达到108量级,是迄今InAs纳米线平面器件的最大开关比。(2) 利用分子束外延技术,国际上创造性地在一维InAs纳米线上生长出了二维高质量InSb纳米片。这种免缓冲层技术制备出来的立式InSb纳米片为纯闪锌矿单晶,结构中观察不到层错及孪晶等缺陷。其长度和宽度达到微米量级(大于10微米)、厚度可薄至10纳米。由其制成场效应器件具有明显的双极性特征,低温下场效应迁移率近20000 cm2 V-1 s-1这种全新的制备高质量二维InSb单晶材料的方法,有望大大加速InSb材料在纳电子学、光电子学、量子电子学、特别是拓扑量子计算等方面的应用。(3) 利用分子束外延技术通过调控SbAs源炉束流以及生长室As蒸汽压的大小,国际上率先在Si衬底及GaAs纳米线上制备出了近全组分可调的高质量GaAs1-xSbx三元合金纳米线。

迄今发表SCI论文35篇,包括:Nano Lett. 7篇,Adv. Mater. 3篇,Phys. Rev. Lett. 1篇,Nanoscale 2篇,Nanotechnology 3Appl. Phys. Lett. 7篇。在国际半导体物理大会(ICPS)、美国材料学会秋季年会(MRS)、纳米线周(Nanowire Week)、半导体物理大会及物理年会等国际国内重要学术会议上做邀请报告口头报告10余次。担任NanoscaleNanotechnologyJ. Appl. Phys.Chin. Phys. BJ. Phys. D: Appl. Phys.Nanoscale Res. Lett.Appl. Surf. Sci.等杂志审稿人

主要研究领域方向

半导体低维材料物理、拓扑量子计算

联系方式

E-mail: pandong@semi.ac.cn电话:010-82305174

在研/完成项目

1国家自然科学基金青年基金项目高质量InAs/GaSb异质结纳米线分子束外延生长及隧穿场效应器件研究2016-2018,主持)

2中国科学院人才专项中国科学院青年创新促进会项目2017-2020,主持)

3国家自然科学基金面上项目窄禁带半导体InSb低维纳米结构中的自旋调控2017-2020研究骨干)

4中科院前沿科学重点研究计划项目第三代磁存储器的新材料及器件原理研究2016-2020研究骨干)

代表性论文或著作

1. L. X. Li, D. Pan*, Y. Z. Xue, X. L. Wang, M. L. Lin, D. Su, Q. L. Zhang, X. Z. Yu, H. So, D. H. Wei, B. Q. Sun, P. H. Tan, A. L. Pan, J. H Zhao*, “Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1-xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy”, Nano Lett., 17 (2017) 622.

2. H. So, D. Pan*, L. X. Li, J. H. Zhao*, “Foreign-Catalyst-Free Growth of InAs/InSb Axial Heterostructure Nanowires on Si (111) by Molecular-Beam Epitaxy”, Nanotechnology, 28 (2017) 135704.

3. L. X. Li, D. Pan*, H. So, X. L. Wang, Z. F. Yu, J. H. Zhao*, “GaAsSb/InAs Core-Shell Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy”, J. Alloys Compd., 724 (2017) 659.

4. D. Pan, D. X. Fan, N. Kang, J. H. Zhi, X. Z. Yu, H. Q. Xu*, J. H. Zhao*, “Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets”, Nano Lett., 16 (2016) 834. 

5. D. Pan, M. Q. Fu, X. Z. Yu, X. L. Wang, L. J. Zhu, S. H. Nie, S. L. Wang, Q. Chen, P. Xiong, S. von Molnár, J. H. Zhao*, “Controlled Synthesis of Phase-Pure InAs Nanowires on Si (111) by Diminishing the Diameter to 10 nm”, Nano Lett., 14 (2014) 1214. 

6. D. Pan, S. L. Wang, H. L. Wang, X. Z. Yu, X. L. Wang, J. H. Zhao*, “Structure and Magnetic Properties of (In, Mn)As Based Core-Shell Nanowires Grown on Si (111) by Molecular-Beam Epitaxy”, Chin. Phys. Lett., 31 (2014) 078103. 

7. D. Pan, J. K. Jian, A. Ablat, J. Li, Y. F. Sun, R. Wu*, “Structure and Magnetic Properties of Ni-Doped AlN Films”, J. Appl. Phys., 112 (2012) 053911. 

8. D. Pan, J. K. Jian, Y. F. Sun, R. Wu*, “Structure and Magnetic Characteristics of Si-Doped AlN Films”, J. Alloys Compd., 519 (2012) 41.

9J. Y. Wang, G. Y. Huang, S. Y. Huang*J. H. Xue, D. Pan, J. H. Zhao*, H. Q. Xu*, “Anisotropic Pauli Spin-Blockade Effect and Spin-Orbit Interaction Field in an InAs Nanowire Double Quantum Dot”, Nano Lett., 18 (2018DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01153. 

10. J. Y. Wang, S. Y. Huang*, G. Y. Huang, D. Pan, J. H. Zhao, H. Q. Xu*, “Coherent Transport in a Linear Triple Quantum Dot Made from a Pure-Phase InAs Nanowire”, Nano Lett., 17 (2017) 4158.

11. M. Q. Fu, Z. Q. Tang, X. Li, Z. Y. Ning, D. Pan, J. H. Zhao, X. L. Wei, Q. Chen*, “Crystal Phase- and Orientation-Dependent Electrical Transport Properties of InAs Nanowires”, Nano Lett., 16 (2016) 2478.

12. X. Li, X. L. Wei*, T. T. Xu, D. Pan, J. H. Zhao, Q. Chen*, “Remarkable and Crystal-Structure-Dependent Piezoelectric and Piezoresistive Effects of InAs Nanowires”, Adv. Mater., 27 (2015) 2852.