杨静，女，1985年出生，博士，副研究员，硕士生导师。2019年中国科学院青年创新促进会会员，2020年北京市科技新星计划入选者。
主要学术成果：
（1）研究了量子阱的热退化机制，发现了抑制量子阱退化的方法。发现了氨气的腐蚀作用；发现碳杂质在P-GaN中起施主补偿作用，氢杂质在p-GaN中起双重作用；并提出非对称量子阱激光器结构。
（2）针对GaN基紫外激光器的特殊性，设计了低Al组分AlGaN限制层紫外激光器结构，于2021年9月、12月分别实现波长366nm、357.9nm紫外激光器的室温电注入激射。357.9nm紫外激光器是目前国内电注入激射波长最短的GaN基激光器，也是国内第一只、也是唯一的电注入激射AlGaN基激光器。
（3）研究大功率紫外激光器技术，通过抑制激光器自加热，实现室温连续输出功率2W的大功率紫外激光器，激射波长384nm。
（4）发表SCI论文100余篇，其中第一作者发表SCI论文30篇，通讯作者发表10篇。第一发明人授权专利8项。
（5）主持国家自然科学基金项目3项（其中面上2项、青年基金1项），承担中国科学院先导专项子课题一项。
主要研究领域或方向：
1、氮化镓（GaN）基材料MOCVD生长、性能分析及相关物理机理研究。
2、GaN基激光器器件制备。
联系方式：
电话：010-82304168；E-mail：yangjing333@semi.ac.cn。
在研/完成项目：
1、国家自然科学基金面上项目：530nm氮化镓基绿光激光器关键问题研究 2021-2024 主持
2、国家自然科学基金面上项目：(Al)GaN基辐射伏特效应同位素电池的关键换能器件 2019-2022 主持
3、国家自然科学基金青年科学基金：氮化镓基绿光激光器的应力调控波导研究 2017-2019 主持
4、中科院青促会项目 2019-2022 主持
5、北京市科技新星计划 2020-2023 主持
代表性论文：
1. J. Yang, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, B. B. Wang, Y. H. Zhang, Z. Z. Zhang, P. Chen, and F. Liang, Room temperature continuous-wave operated 2.0 W GaN-based ultraviolet laser diodes, Optics Letters. 47,1666 (2022)
2. J. Yang, B. B. Wang, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, F. Liang, P. Chen, Y. H. Zhang, and Z. Z. Zhang, "Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers", Journal of Applied Physics 130, 173105 (2021)
3. J. Yang, Y. H. Zhang, D. G. Zhao*, P. Chen, Z. S. Liu, and F. Liang, "Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies", Journal of Crystal Growth, 570, 126245 (2021)
4. J. Yang, D. G. Zhao*, D. S. Jiang, P. Chen, J. J. Zhu, Z. S. Liu, F. Liang, S. T. Liu, and Y. Xing, "Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes", Journal of Alloys and Compounds 822, 153571 (2020)
5. J. Yang, D. G. Zhao*, J. J. Zhu, Z. S. Liu, F. Liang, D. S. Jiang, P. Chen, S. T. Liu, W. Liu, and M. Li, “Enhancing the performance of GaN based LDs by using low In content InGaN instead of GaN as lower waveguide layer”, Optics and Laser Technology 111, 810 (2019)
6. J. Yang, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, D. S. Jiang, J. J. Zhu, P. Chen, F. Liang, S. T. Liu, W. Liu, Y. Xing, and M. Li, "Suppression the Leakage of Optical Field and Carriers in GaN-Based Laser Diodes by Using InGaN Barrier Layers", IEEE Photonics Journal 10, 1503107 (2018)
7. J. Yang, D. G. Zhao*, D. S. Jiang, X. Li, F. Liang, P. Chen, J. J. Zhu, Z. S. Liu, S. T. Liu, L. Q. Zhang, and M. Li, "Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region", Optics Express 25, 287124 (2017)
8. J. Yang, D. G. Zhao*, D. S. Jiang, P. Chen, J. J. Zhu, Z. S. Liu, X. Li, F. Liang, W. Liu, S. T. Liu, L. Q. Zhang, H. Yang, J. Zhang and M. Li, "Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes", IEEE Photonics Journal 9, 2300108 (2017)
9. J. Yang, D. G. Zhao*, D. S. Jiang, P. Chen, J. J. Zhu, Z. S. Liu, W. Liu, X. Li, F. Liang, S. T. Liu, L. Q. Zhang and H. Yang, "Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes", Scientific Reports 7, 44850 (2017)
10. J. Yang, D. G. Zhao*, D. S. Jiang, P. Chen, Z. S. Liu, J. J. Zhu, X. J. Li, X. G. He, J. P. Liu, L. Q. Zhang, H. Yang, Y. T. Zhang, and G. T. Du, "Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes", Optics Express 24, 13824 (2016)