刘智，男，博士，副研究员，硕士生导师。

中国科学院青年创新促进会会员。2009年毕业于太原理工大学应用物理学专业，获学士学位，2014年毕业于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业，获博士学位。2014年7月至今，在中国科学院半导体研究所工作。主要从事硅基四族材料生长与光电子器件研究，主持和参与科技部重点研发计划课题、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等多项重要课题。共发表学术论文40余篇，获得国家发明专利4项。

取得的重要科研成果：

研制出高性能Si基Ge光电探测器，暗电流密度为3.4mA/cm2，带宽48GHz，综合性能达国际领先水平；研制出接收容量1.25Tbps的Si基光接收集成芯片；研制出国内首例高速Si基Ge电吸收调制器，带宽36GHz，可实现56Gbps电光调制；研制出Ge、Ge/Si量子点、Ge/GeSi MQWs、GeSn/Ge MQWs系类硅基发光器件等。

主要研究方向：

硅基四族光电子材料的外延生长和光电子器件制备。

联系方式：

E-mail：zhiliu@semi.ac.cn；电话010-82305061

在研/完成项目：

1. 高速高响应硅基探测器阵列的研究，国家重点研发计划项目课题，2020-2021，课题负责人；

2. 快速熔融法制备硅基锗锡及激光器的研究，国家自然科学基金面上项目，2020-2023，项目负责人；

3. 中国科学院青年创新促进会项目：2021-2024；

4. Ge/SiO2光栅增强型Si基Ge光电探测器的研究，国家自然科学基金青年项目， 2017-2019，项目负责人。

代表性论文或著作：

[1]              X. Li, L. Peng, Z. Liu*, Z. Zhou, J. Zheng, C. Xue, Y. Zuo, B. Chen, and B. Cheng, "30 GHz GeSn photodetector on SOI substrate for 2μm wavelength application," Photon. Res. 9, 494-500 (2021).

[2] Z. Liu, X. Li, C. Niu, J. Zheng, C. Xue, Y. Zuo, and B. Cheng*, "56 Gbps high-speed Ge electro-absorption modulator," Photon. Res. 8, 1648-1652 (2020).

[3] L. Peng, X. Li, Z. Liu*, X. Liu, J. Zheng, C. Xue, Y. Zuo, and B. Cheng, "Horizontal GeSn/Ge multi-quantum-well ridge waveguide LEDs on silicon substrates," Photon. Res. 8, 899-903 (2020).

[4] X. Li, L. Peng, Z. Liu*, X. Liu, J. Zheng, Y. Zuo, C. Xue, and B. Cheng, "High-power back-to-back dual-absorption germanium photodetector," Optics Letters 45, 1358-1361 (2020).

[5]              C. Niu, Z. Liu*, X. Li, X. Liu, F. Wan, J. Zheng, B. Cheng, C. Xue, and Y. Zuo, "High Extinction Ratio Polarization Beam Splitter Realized by Separately Coupling," IEEE Photonics Technology Letters 32, 1183-1186 (2020).

[6] Z. Liu, J. Zhang, X. Li, L. Wang, J. Li, C. Xue, J. An, and B. Cheng*, "25 × 50 Gbps wavelength division multiplexing silicon photonics receiver chip based on a silicon nanowire-arrayed waveguide grating," Photon. Res. 7, 659-663 (2019).

[7] Z. Liu, J. Liu, B. Cheng*, J. Zheng, C. Li, C. Xue, and Q. Wang, "Enhanced light trapping in Ge-on-Si-on-insulator photodetector by guided mode resonance effect," J. Appl. Phys. 124, 053101 (2018).

[8] Z. Liu, F. Yang, W. Wu, H. Cong, J. Zheng, C. Li, C. Xue, B. Cheng*, and Q. Wang, "48 GHz High-Performance Ge-on-SOI Photodetector With Zero-Bias 40 Gbps Grown by Selective Epitaxial Growth," J. Lightwave Technol. 35, 5306-5310 (2017).