赵超，男，博士，研究员，博士生导师。
2004年毕业于天津大学材料学院，2009年在中国科学院半导体研究所获博士学位。2009年6月至2020年3月，分别在阿卜杜拉国王科技大学和亚琛工业大学/于利希国家研究中心工作。2020年4月入职中国科学院半导体研究所，同年获中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持。
取得的重要科研成果及所获奖励：
长期从事III-V族半导体材料和器件的大失配异质外延方面的研究。成功实现了电注入硅基激光器和发光二极管，为硅基光源提供了解决方案；首次提出了引入金属外延缓冲层的思路，有效解决了大功率半导体器件的散热难题；此外还突破了传统外延限制，发展了多种新型异质外延技术。
迄今共发表学术论文70余篇，其中SCI论文54篇，JCR一区论文36篇。Google Scholar总引用2900余次，H指数为24。已获授权美国专利4项，中国专利1项。受邀撰写Wiley出版的学术专著一章。目前任Electronics Express副编辑和IEEE高级会员；是Advanced Materials等二十多个期刊的审稿人；入选中国科学院半导体所“卓越青年学者”（2020年）；获得中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持（2020年）。
主要研究领域方向：
1、III-V族半导体材料和器件
2、大失配异质外延
3、硅基光子集成
联系方式：
E-mail：zhaochao@semi.ac.cn
在研/完成项目：
1、中国科学院，高层次人才计划（择优支持），2021‐01至2023‐12，在研，主持
2、中国科学院半导体研究所，卓越青年学者计划，2020‐04至2023‐04，在研，主持
3、中国科学院，战略性先导科技专项（B类），光电融合集成结构物理模型，2020‐01至2024‐12，在研，子课题负责人
代表性论文或著作：
1. Chao Zhao#*, Zhaonan Li#, Tianyi Tang, Jiaqian Sun, Wenkang Zhan, Bo Xu, Huajun Sun, Hui Jiang, Kong Liu, Shengchun Qu, Zhijie Wang*, Zhanguo Wang, “Novel III-V Semiconductor Epitaxy for Optoelectronic Devices through Two-Dimensional Materials”, Progress in Quantum Electronics, 76, 100313 (2021)
2. Chao Zhao*, Bo Xu, Zhijie Wang*, Zhanguo Wang, “Boron-doped III-V Semiconductors for Si-based Optoelectronic Devices”, Journal of Semiconductors, 41 (1), 011301 (2020)
3. Chao Zhao#, Nasir Alfaraj#, Ram Chandra Subedi, Jian Wei Liang, Abdullah A. Alatawi, Abdullah A Alhamoud, Mohamed Ebaid, Mohd Sharizal Alias, Tien Khee Ng*, Boon S. Ooi*, “III-Nitride Nanowires on Unconventional Substrates: from Material to Optoelectronic Device Applications”, Progress in Quantum Electronics, 61, 1-31 (2018)
4. Chao Zhao, Mohamed Ebaid, Huafan Zhang, Davide Priante, Bilal Janjua, Daliang Zhang, Nini Wei, Abdullah A. Alhamoud, Mohammad Khaled Shakfa, Tien Khee Ng*, and Boon S. Ooi*, “Quantified Hole Concentration in AlGaN Nanowires for High-Performance Ultraviolet Emitters”, Nanoscale, 10, 15980-15988 (2018)
5. Chao Zhao#, Tien Khee Ng#*, Rami T. ElAfandy, Aditya Prabaswara, Giuseppe Bernardo Consiglio, Idris A. Ajia, Iman S. Roqan, Bilal Janjua, Chao Shen, Jessica Eid, Ahmed Y. Alyamani, Munir M. Eldesouki, and Boon S. Ooi*, “Droop-Free, Reliable, and High-Power InGaN/GaN Nanowire Light-Emitting Diodes for Monolithic Metal-Optoelectronics”, Nano Lett., 16, 4616–4623 (2016)
6. Chao Zhao#, Tien Khee Ng#*, Nini Wei, Aditya Prabaswara, Mohd S. Alias, Bilal Janjua, Chao Shen, and Boon S. Ooi*, “Facile Formation of High-Quality InGaN/GaN Quantum-Disks-in-Nanowires on Bulk-Metal Substrates for High-Power Light-emitters”, Nano Lett., 16, 1056–1063 (2016)
7. Chao Zhao, Tien Khee Ng, Aditya Prabaswara, Michele Conroy, Shafat Jahangir, Thomas Frost, John O'Connell, Justin D Holmes, Peter Parbrook, Pallab Bhattacharya, Boon S Ooi*, “An Enhanced Surface Passivation Effect in InGaN/GaN Disk-in-Nanowire Light Emitting Diodes for Mitigating Shockley-Read-Hall Recombination”, Nanoscale 7, 16658 (2015)
8. C. Zhao, Y.H. Chen*, B. Xu, F. Ding, C.G Tang, Z.G. Wang, “Study of wetting layer of InAs/GaAs nanostructures grown by droplet epitaxy”, Appl. Phys. Lett. 92, 063122 (2008)
9. C. Zhao, Y.H. Chen*, B. Xu, P. Jin, Z.G. Wang, “Evolution of InAs nanostructures grown by droplet epitaxy”, Appl. Phys. Lett. 91, 033112 (2007)
10. Chao Zhao, Tien Khee Ng, Chien-Chih Tseng, Jun Li, Yumeng Shi, Nini Wei, Daliang Zhang, Giuseppe Bernardo Consiglio, Aditya Prabaswara, Abdullah Ali Alhamoud, Abdulrahman M. Albadri, Ahmed Y. Alyamani, X.X. Zhang, Lain-Jong Li, and Boon S. Ooi*, “InGaN/GaN nanowires epitaxy on large-area MoS2 for high-performance light-emitters”, RSC Adv. 7, 26665-26672 (2017)