魏学成，男，博士，副研究员，硕士生导师。
2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；同年留所工作至今。目前主要从事III族氮化物材料的生长与表征，包括AlN单晶材料生长、半导体材料与器件的光学性质和杂质分布、紫外LED模组可靠性和应用等相关研究工作。
取得的重要科研成果：
主要从事第三代半导体材料AlN单晶生长研究，设计搭建了国内最早的AlN单晶生长炉；开展了LED内量子效率的研究，提出了LED量子阱结构优化和光学表征等创新性设计；完善了二次离子质谱仪表征半导体材料杂质含量的条件，提升了杂质检测限；开展了紫外模组老化和可靠性研究，完成了紫外应用模组的开发设计。在Optics Letters，Optics Express，Applied Physics Letters等发表SCI论文50多篇，申请发明专利20余项，授权10余项（其中第一申请人授权3项），制定国家标准2项。
主要研究领域或方向：
（1）AlN单晶生长研究
（2）半导体材料荧光特性研究
（3）半导体材料痕量杂质研究
（4）紫外LED可靠性研究
联系方式：
电话：（010）82305304； E-mail：xcwei@semi.ac.cn。
在研项目：
（1）国家自然科学基金面上项目，“基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究”，项目负责人，2017.1-2020.12；
（2）国家重点研发计划项目子课题，基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究， 子课题负责人，2018.5-2020.4；
（3）国家重点研发计划项目课题， “材料生长”，课题负责人，2016.7-2020.6；
（4）基金委国家重大科研仪器研制项目，高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制，参与，2016.1-2020.12。
代表性论文：
L. Zhang, Y. N. Guo, J. C. Yan, Q. Q. Wu, X. C. Wei, et al. Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template Optics Express 27(4):4917, February 2019
Xuecheng Wei, Lixia Zhao, Junxi Wang, Yiping Zeng and Jinmin Li，Characterization of nitride-based LED materials and devices using TOF-SIMS，Surf. Interface Anal. 2014, 46, 299–302
Ziguo Yu, Lixia Zhao, X. C. Wei, X. J. Sun, P. B. An, S.C. Zhu, L. Liu, L. X. Tian, F. Zhang, H. X .Lu, J. X. Wang, Y. P. Zeng, J. M. Li， Surface plasmon-enhanced nanoporous GaN-based green light-emitting diodes with Al2O3 passivation layer，Optics Express 10/2014; 22(S6):A1596
L. Zhang, X. C. Wei, N. X. Liu, H. X. Lu, J. P. Zeng, J. X. Wang, Y. P. Zeng, J. M. Li，Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition，Applied Physics Letters 01/2011; 98
Xuecheng Wei; Youwen Zhao; Zhiyuan Dong, et al. Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method，Journal of Crystal Growth, 310(3): 639-645, February 2008
标准制定：
1. 魏学成，赵丽霞，王军喜，曾一平，李晋闽，等 《LED发光用氮化镓基外延片》，GB/T 30854-2014
2. 魏学成，赵丽霞，王军喜，曾一平，李晋闽，等 《 氮化物LED外延片内量子效率测试方法》，GB/T 30655-2014