张艳华，男，博士，副研究员，硕士生导师 。

2005年-2007年从北京理工大学获得硕士学位，硕士期间主要从事分子束外延（MBE）低维材料生长工作。2007年-2019年在中国科学院半导体研究所工作，主要从事量子点、量子阱红外探测器方面的研究。2009年-2012年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的研究。并留所工作，目前，主要从事锑化物红外探测器和太赫兹探测器的研究。在国内外各种期刊上发表论文30余篇,申请专利6项，授权2项。

取得的重要科研成果：

成功研制出具有极高晶体质量的InSb和混合型两种界面类型的长波InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器，证实InSb界面优于混合界面，并首次进行了物理解释。在国际上首次报道了两端电压调制窄带长波/甚长波双色InAs/GaSb II类超晶格红外探测器。国际上首次报道了最短波长为1微米的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器。与兄弟单位合作研制成功二类超晶格中波、长波及中/长波双色红外焦平面阵列器件。

主要研究领域方向：

新型低维半导体结构材料生长及器件，锑化物红外探测器，太赫兹探测器。

联系方式：

E-mail：zhangyanhua@semi.ac.cn，电话：010-82304530  

在研/完成项目：

1. 国家自然科学基金青年项目, “甚长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器材料及其新型界面研究”，2014/01-2016/12。 项目负责人

2. 国家自然科学基金面上项目, “反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究”, 2018/1-2021/12。项目负责人

3. 北京市自然科学基金面上项目, “反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测器材料生长研究”，2018/1-2019/12。项目负责人

4. 国家973项目, “半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”，2010.1-2014.12，469万，参加。

5.其他项目，850万，2016.01-2018.12，参加。

代表性论文或著作：

1. Y.H. Zhang, W.Q. Ma, J.L. Huang, et al., “Pushing Detection Wavelength Toward 1 μm by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers”, IEEE Electron Device Lett. 37, 1166 (2016).

2. 张艳华*，马文全，卫炀，黄建亮，曹玉莲，崔凯，郭晓璐，邵军，“长波和甚长波及其双色InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的研究进展”，中国科学:物理学 力学 天文学, 44, 390, (2014). 

3. Y.H. Zhang, W.Q. Ma, Y.L. Cao, J.L. Huang, Y. Wei, K. Cui, and J. Shao, “Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity”, Appl. Phys. Lett. 100, 173511 (2012).

4.   Y.H. Zhang, W.Q. Ma, Y.L. Cao, J.L. Huang,Y. Wei, K. Cui, and J. Shao, “Long wavelength infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors with InSb-like and mixed interfaces”, IEEE J. Quantum Electron. 47, 1475 (2011). 

5.  B.Y. Nie, J.L. Huang, C.C. Zhao, W.J. Huang, Y.H. Zhang, Y. L. Cao, W.Q. Ma, “InAs/GaSb superlattice resonant tunneling diode photodetector with InAs/AlSb double barrier structure”, Appl. Phys. Lett., 114, 053509（2019）.

6. W. J. Huang, J.L. Huang, Y.H. Zhang, C.C. Zhao, B.Y. Nie, Y. L. Cao W.Q. Ma, “Short/Mid-Wave Two-Band Type-II Superlattice Infrared Heterojunction Phototransistor”, IEEE Photo. Technol. Lett., 31, 137(2019).

7. J.L. Huang, W.Q. Ma,  Y.H. Zhang, et al., “Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%”, IEEE Electron Device Lett. 38, 1266 (2017).

8. W.J. Huang, W.Q. Ma, J.L.Huang, Y.H.Zhang,et al., “Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure”, Solid State Communications, 267, 29(2017). 

9. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y.H. Zhang, et al., “Experimental determination of band overlap in type II InAs/GaSb superlattice based on temperature dependent photoluminescence signal”, Solid State Communications, 224, 34(2015）.

10. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y.H. Zhang, et al., “Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector”, Appl. Phys. Lett., 106, 263502（2015）. 

11. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y.H. Zhang, et al., “Narrow-band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um”, IEEE Photo. Technol. Lett., 27, 2276,（2015）.

12. K. Liu, W.Q. Ma, J.L. Huang, Y.H. Zhang, et al.,“Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate”, Appl. Phys. Lett. 107 ,041103,( 2015).

13. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y. Wei, Y.H. Zhang , K. Cui, and J. Shao, “Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices”, J. Crystal Gowth. 407, 37 (2014).

14. Q. Li, W.Q. Ma, Y.H. Zhang , K. Cui, J.L. Huang , Y. Wei, et al., “Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector”, Chin. Sci. Bull. 59, 3696 (2014).

15. K. Cui, W.Q. Ma, Y.H. Zhang, et al., “540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier”, IEEE Electron Device Lett. 34, 759 (2013).

16. X.L. Guo, W.Q. Ma, J.L. Huang, Y.H. Zhang , Y. Wei, K. Cui, Y.L. Cao, and Q. Li, “Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy”, Semicond. Sci. Technol. 28, 045004(2013).

17. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y. Wei, Y.H. Zhang , K. Cui, Y.L. Cao, X.L. Guo and J. Shao, “How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2–3 μm”, IEEE J. Quantum Electro. 48, 1322 (2012).

18. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y.L. Cao, Y. Wei, Y.H. Zhang , K. Cui, G.R. Deng and Y.L. Shi, “Mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using SiOxNy passivation”, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 074002(2012). 

19. K. Cui, W.Q. Ma, J.L. Huang, Y. Wei, Y.H. Zhang, Y.L. Cao, Y.X. Gu and T. Yang, “Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35μm light emission at room temperature”, Physica E. 45, 173 (2012).

20. Y. Wei, W.Q. Ma, Y.H. Zhang , J.L. Huang, Y.L. Cao, and K. Cui, “High structural quality of type II InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection by interface control”, IEEE J. Quantum Electron. 48, 512 (2012).

21. K. Cui, W.Q. Ma, Y.H. Zhang, J.L. Huang,, Y. Wei, Y.L. Cao, Z. Jin, and L.F. Bian, “Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure”, Appl. Phys. Lett. 99, 023502 (2011). 

22. Y. Wei, W.Q. Ma, J.L. Huang, Y.H. Zhang, Y.H. Huo, K. Cui, L.H. Chen, and Y. L. Shi, “Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers”, Appl. Phys. Lett. 98, 103507 (2011). 

23.  J.L. Huang, W.Q. Ma, Y. Wei, Y.H. Zhang, Y.H. Huo, K. Cui, and L.H. Chen, “Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunnelling barriers”, Appl. Phys. Lett. 98, 103501 (2011).

24. Y. H. Huo, W. Q. Ma, Y. H. Zhang, L. H. Chen and Y. L. Shi “Quantum well infrared photodetector simultaneously working in two atmospheric windows”，Applied Physics A, 100, 415 (2010).