于丽娟，女，博士，副研究员，硕士生导师。 

　　1986年和1989年在吉林大学物理系获学士和硕士学位，2000年在西安交通大学电子工程系获博士学位。 

　　2000年至今在中科院半导体所从事半导体光电材料及相关器件的研究，曾参加高性能半导体光放大器规模化生产技术项目，研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中，已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度，并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者，主要从事Ge/Si DBR材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。 

　　已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。 

　　目前研究领域及方向： 

　　半导体光电器件。 

　　联系方式： 

　　E-mail：ylj@red.semi.ac.cn；  电话：010-82304320