王开友

王开友,研究员博士生导师,国家杰出青年基金获得者,现任半导体超晶格国家重点实验室主任, 

2005年在英国诺丁汉大学天文物理学院获得哲学博士学位。20053月-5月在诺丁汉大学作研究助理, 20056月-20093月在日立剑桥研究实验室作Researcher。曾经两次在波兰科学院物理研究所做访问研究,并作为访问教授在丹麦玻尔研究所进行短期访问研究。2009加入半导体研究所超晶格国家重点实验室工作,并于2012年获得国家自然科学基金委的国家杰出青年基金资助。长期从事自旋电子学及半导体微纳器件物理的研究,并取得了一系列有一定影响力的研究成果,迄今在国际核心刊物上合作发表了包括Nature Materials, Nature Physics, Nature Electronics, Physics Review Letters在内的科技论文 100多篇,发表的文章被引用4500多次,近五年应邀在国内外学术会议做大会或邀请报告30余次,组织并主持多次国际和国内学术会议。当前是中国物理学会理事、半导体物理专业委员会主任和多个专业委员会委员、IAAM Fellow,现任iScience》、《Chinese Physics B》等内外多个杂志编委;获得包括国际先进材料学会奖章在内的多个国内外奖励

当前主要研究兴趣: 

自旋电子学及低维微纳器件研究

现招收硕博连读生、博士生及博士后;同时还招收与英国诺丁汉大学联合培养博士生(2年半导体所/2年英国,4年获英国诺丁汉大学博士学位

联系方式:  

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室(邮政编码:100083  

E-mail: kywang@semi.ac.cn;电话:(010) 82304622

传真:(010) 82305056   

课题组主页:http://ewormhole.com/lab/detail/1581

在研/完成主要项目: 

1科学院重点研发项目:非易失磁逻辑和存储一体化器件原理研究”       2017-2022 主持)

2)国家自然科学基金委面上项目:新型二维晶体及其异质结光电探测器的原理及功能特性研究2018-2021 主持)

3)国家自然科学基金委面上项目:电场调控微纳器件的磁特性及电场/电流双重调控器件磁特性研究2015-2018主持)

4)科技部“973”项目:“2.8-4微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究2014-2018课题负责人)

5国家自然科学基金委杰出青年基金:铁磁半导体及碳基自旋电子学2013-2016 主持) 

6)国家自然科学基金委面上项目:铁磁半导体异质结器件中的基本物理特性研究2012-2015 主持) 

7)科技部“973”项目:光和固态微结构中集体激发强耦合的量子调控2011-2015 参加) 

8)中国科学院百人计划项目:走向纳米自旋电子学2010-2013 主持) 

部分代表性论文:

(1)From two- to multi-state vertical spin valves without spacer layer based on Fe3GeTe2 van der Waals homo-junctions”, Ce Hu, Dong Zhang, Faguang Yan, Yucai Li, Quanshan Lv, Wenkai Zhu, Zhongming Wei, Kai Chang, Kaiyou Wang*, Science Bulletin, 65 (2020)1072.

(2)Deterministic Magnetization Switching Using Lateral Spin–Orbit Torque”, Yi Cao, Yu Sheng, Kevin William Edmonds, Yang Ji, Houzhi Zheng, and Kaiyou Wang*Advanced Materials, 32 (2020) 1907929

(3)Complementary Lateral‐Spin–Orbit Building Blocks for Programmable Logic and In-Memory Computing”, Nan Zhang, Yi Cao, Yucai Li, Andrew W. Rushforth, Yang Ji, Houzhi Zheng, Kaiyou Wang*Advanced Electronic Materials, 6(2020)2000296.

(4)Interlayer band-to-band tunneling and negative differential resistance in van der Waals BP/InSe field effect transistorsQuanshan Lv, Faguang Yan, Nobuya Mori, Wenkai Zhu, Ce Hu, Zakhar R. Kudrynskyi, Zakhar D. Kovalyuk, Amalia Patanèand Kaiyou Wang* Advanced Functional Materials, 30(2020) 1910713;

(5)Tuning Interfacial Spins in Antiferromagnetic–Ferromagnetic–Heavy-Metal Heterostructures via Spin-Orbit Torque”, X. H. Liu , K. W. Edmonds, Z. P. Zhou , and K. Y. Wang*Phys. Rev. Applied, 13(2020)014059.

(6)Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque”, Meiyin Yang , Yongcheng Deng, Zhenhua Wu , Kaiming Cai, Kevin William Edmonds , Yucai Li, Yu Sheng, Sumei Wang , Yan Cui, Jun Luo , Yang Ji, Hou-Zhi Zheng, and Kaiyou Wang*, IEEE Electron Device Letters, 40 (2019) 1554.

(7)Enhanced photoresponse in MoTe2 photodetectors with asymmetric graphene contacts” Xia Wei, Faguang Yan, Quanshan Lv, Wenkai Zhu, Ce Hu, Amalia Patanè, K. Y. Wang*Advanced Optical Materials, 7(2019) 1900190.

(8)“Tuning a binary ferromagnet into a multi-state synapse with spin-orbit torque induced plasticity” Y. Cao, A. Rushforth, Y. Sheng, H. Zheng, K. Wang*Advanced Functional Materials, 29(2019)1808104, 

(9)Complementary logic with a spin” Kaiyou Wang*, Nature Electronics, 1(2018)378.

(10)Adjustable current-induced magnetization switching utilizing interlayer exchange coupling”, Yu Sheng, Kevin William Edmonds, Xingqiao Ma, Houzhi Zheng, Kaiyou Wang*, Advanced Electronic Materials, 420181800224. 

(11)High performance, self-driven photodetector based on graphene sandwiched GaSe/WS2 heterojunction” QuanShan Lv, Faguang Yan, Xia Wei, and Kaiyou Wang*,  Advanced Optical Materials, 6(2018) 1700490.

(12)Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure” Kaiming Cai, Meiyin Yang, Hailang Ju, Sumei Wang, Yang Ji, Baohe Li,Kevin William Edmonds, Yu Sheng, Bao Zhang, Nan Zhang, Shuai Liu, Houzhi Zheng and Kaiyou Wang*Nature Materials, 16 (2017)712.

(13)Fast gate-tunable photodetection in the graphene sandwiched WSe2/GaSe heterojunctions”Xia Wei, Faguang Yan, Quanshan Lv, Chao Shen and Kaiyou Wang*Nanoscale9 (2017) 8388.

(14)“Wafer-scale two-dimensional ferromagnetic FeGeTe thin films” Shanshan Liu, Xiang Yuan, Yichao Zhou,Yu Sheng,Ce Huang, Enze Zhang, Jiwei Ling, Yanwen Liu,Weiyi Wang, Cheng Zhang, Jin Zou, Kaiyou Wang*, Faxian Xiu*, NPJ 2D Materials and Applications 1(2017)30.

(15) Fast, multicolor photodetection with graphene-contacted p-GaSe/n-InSe van der Waals heterostructures”, Faguang Yan, Lixia Zhao, Amalia Patanè, PingAn Hu, Xia Wei,Wengang Luo, Dong Zhang, Quanshan Lv, Qi Feng, Chao Shen,Kai Chang, Laurence Eaves and Kaiyou Wang*Nanotechnology, 28 (2017) 27LT01.

(16)Piezo Voltage Controlled Planar Hall Effect Devices”, Bao Zhang, Kang-Kang Meng, Mei-Yin Yang, K. W. Edmonds, Hao Zhang, Kai-Ming Cai,Yu Sheng, Nan Zhang, Yang Ji, Jian-Hua Zhao, Hou-Zhi Zheng & Kai-You Wang*Scientific Reports, 6 (2016)28458.

(17)Spin-orbit torque in Pt/CoNiCo/Pt symmetric devices” Meiyin Yang, Kaiming Cai, Hailang Ju, Kevin William Edmonds, Guang Yang, Shuai Liu, Baohe Li, Bao Zhang, Yu Sheng, Shouguo Wang, Yang Ji & Kaiyou Wang*Scientific Reports, 6 (2016)20778.

(18)Rational Design of Ultralarge Pb1-xSnxTe Nanoplates for Exploring Crystalline Symmetry-Protected Topological Transport” Qisheng Wang# , Kaiming Cai# , Jie Li , Yun Huang , Zhenxing Wang , Kai Xu , Feng Wang , Xueying Zhan , Fengmei Wang , Kaiyou Wang ,* and Jun He*, Advanced Materials, 28(2016)617.

(19) “Charge Trap Memory Based On Few-Layered Black Phosphorus Qi Feng, Faguang Yan, Wengang Luo and Kaiyou Wang*Nanoscale, 8(2016)2686.

(20) “Strong enhancement of photoresponsivity with shrinking the electrodes spacing in few layer GaSe photodetectors” Yufei Cao, Kaiming Cai, Pingan Hu, Lixia Zhao, Tengfei Yan, Wengang Luo, Xinhui Zhang, Xiaoguang Wu, Kaiyou Wang* & Houzhi ZhengScientific Reports, 5 (2015)8130.

(21)Gate Tuning of High-Performance InSe-Based Photodetectors Using Graphene Electrodes”, W. G. Luo, Y. F.  Cao, P. A. Hu, K. M. Cai, Q. FengF. G. YanT. F. YanX. H. Zhang and K. Y. Wang*Adv. Opt. Mater., 3(2015)1418.

(22)Anisotropic current-controlled magnetization reversal in the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)AsYuanyuan Li, Y. F. Cao, G. N. Wei, Yanyong Li, Y. Ji, K. Y. Wang*, K. W. Edmonds,R. P. Campion, A. W. Rushforth, C. T. Foxon, and B. L. GallagherAppl. Phys. Lett.,103 (2013)022401.

(23)Spin and orbital splitting in ferromagnetic contacted single wall carbon nanotube devicesK. Y. Wang, A. M. Blackburn,H. F. Wang, J. Wunderlich, and D. A. Williams, Appl. Phys. Lett.,102 (2013)093508.

(24)Spin-Transfer-Torque-Assisted Domain-Wall Creep in a Co/Pt Multilayer Wire L. San Emeterio Alvarez, K.-Y. Wang, S. Lepadatu, S. Landi, S. J. Bending and C. H. MarrowsPhys. Rev. Lett. 104 (2010)137205.

(25Current-driven domain wall motion in GaMnAsP across a wide temperature range”K. Y. WangK. W. EdmondsA. C. IrvineG. TataraE. De RanieriJ. WunderlichK. OlejnikA. W. RushforthR. P. CampionD. A. WilliamsC. T. Foxon, and B. L. GallagherAppl. Phys. Lett. 97 (2010) 262102.

(26)“Magnetic reversal under external field and current driven domain wall motion in (Ga,Mn)As: influence of extrinsic pinning”K Y Wang, A C Irvine, J Wunderlich, K W Edmonds, A W  Rushforth, R P Campion, C T Foxon, D A Williams and B L Gallagher, New Journal of Physics 10 (2008) 085007 (special issue) (invited paper)

(27)“Singlet-triplet physics and shell filling in carbon nanotube double quantum dots”H. I. Jorgensen, K. Grove-Rasmussen, K. Y. Wang, A. M. Blackburn, K. Flensberg, P. E. Lindelof, and D. A. Williams, Nature Physics, 4 (2008) 536.

(28)“Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor”J. Wunderlich, T. Jungwirth, B. Kaestner, A. C. Irvine, A. B. Shick, N. Stone, K. Y. Wang, U. Rana, A. D. Giddings, C. T. Foxon, R. P. Campion, D. A. Williams, and B. L. Gallagher, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 077201.

(29)Control of coercivities in (Ga,Mn)As thin films by small concentrations of MnAs nanoclusters K. Y. Wang, M. Sawicki, K. W. Edmonds, R. P. Campion, A. W. Rushforth, A. A. Freeman, C. T. Foxon, B. L. Gallagher, and T. Dietl, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 022510. 

(30“Catalytic chemical vapour deposition of single-wall carbon nanotubes at low temperatures” M. Cantoro, S. Hofmann, S. Pisana, V. Scardaci, A. Parvez, C. Ducati, A. C. Ferrari, A. M. Blackburn, K. Y. Wang, and J. Robertson, Nano Lett. 6 (2006) 1107.  

(31) “Spin reorientation transition in single-domain (Ga,Mn)As” K. Y. Wang, M. Sawicki, K.W. Edmonds, R.P. Campion,S. Maat, C.T. Foxon, B.L. Gallagher and T. Dietl, Phys. Rev. Lett. 95 (2005)217204

(32) (Ga,Mn)As grown on (311) GaAs substrates: Modified Mn incorporation and magnetic anisotropies”K. Y. Wang, K. W. Edmonds, L. X. Zhao, M. Sawicki, R. P. Campion, B. L. Gallagher and C. T. Foxon, Phys. Rev. B 72 (2005)115207.

(33)“Anisotropic magnetoresistance and magnetic anisotropy in high quality (Ga,Mn)As films” K. Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, L. X. Zhao, C. T. Foxon and B. L. Gallagher, , Phys. Rev. B 72 (2005) 085201.

(34) “Prospects of high temperature ferromagnetism in (Ga,Mn)As semiconductors”T. Jungwirth, K. Y. Wang, J. Masek, K. W. Edmonds, J. Konig, J. Sinova, M. Polini, N. A. Goncharuk, A. H. MacDonald, M Sawicki, R. P. Campion, L. X. Zhao, C. T. Foxon, B. L. Gallagher, Phys. Rev. B 72 (2005) 165204.

(35) “In-plane uniaxial anisotropy rotations in (Ga,Mn)As thin films”

 M. Sawicki, K. Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, C.R. Staddon, N.R.S. Farley, C.T. Foxon, E. Papis, E. Kamińska,A. Pitrowska, T. Dietl and  B.L. Gallagher, Phys. Rev. B71 (2005) 121302.

(36)“Large tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As nanoconstrictions” A. D. Giddings, M. N. Khalid, J. Wunderlich, S. Yasin, R. P. Campion, K. W. Edmonds, J. Sinova, T. Jungwirth, K. Ito, K. Y. Wang, D. Williams, B. L. Gallagher, C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett., 94 (2005) 127202.

(37) “Mn Interstitial Diffusion In (Ga,Mn)As” K.W. Edmonds, P. Bogusÿawski, K. Y. Wang, R.P. Campion, S.N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. 92, (2004) 037201.