刘兴昉，男，博士，研究员，硕士生导师。

1999年毕业于中南大学材料系，获工学学士学位，2004年毕业于中南大学粉冶所，获工学硕士学位，2007年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究，工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究，主持多项课题研究工作，获得北京市产品质量创新成果奖一项，在国内外学术期刊上发表研究论文40余篇，获得国家授权专利8项。

主要研究领域及方向：

碳化硅半导体、石墨烯及相关设备研究开发

联系方式：

E-mail：liuxf@mail.semi.ac.cn； 电话：010-82304101。

主持课题研究：

1. 4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究，国家自然科学基金，2016.1-2019.12

2. SiC IGBT外延缺陷转化机理及控制技术研究，国家重点专项子课题，2018.7-2021.6

3. 4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究，国家自然科学基金，2013.1-2016.12

4. 用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究，北京市自然科学基金，2013.1-2015.12

5. 国产6英寸碳化硅外延材料制备技术研究，北京市科技计划，2016.1-2017.12

6. 外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目，2008.10-2010.11

7. 先进功率半导体材料与器件研究，企业攻关项目，2010.5-2012.6

参与课题研究：

1. 基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究，国家重点专项课题，2016.7-2021.6

2. 分布式智能电网关键技术研究，中国科学院知识创新工程，2009.10-2012.9

3. 半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究，北京市科委项目，2009.7-2010.8

4. 大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统，中国科学院重大科研装备项目，2007.10-2009.9

代表性论文：

1. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Chen, J.; He, Y.W.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Guan, M.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth 2019, 507, 283-287.

2. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Liu, B.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Chen, J.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth 2018, 504, 7-12.

3. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Tian, L.X.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Guan, M.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition. ECS Journal of Solid State Science and Technology 2017, 6, P27-P31.

4. Liu, X.F.*; Chen, Y.; Sun, C.Z.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Surface Evolution of Nano-Textured 4H-SiC Homoepitaxial Layers after High Temperature Treatments: Morphology Characterization and Graphene Growth. Nanomaterials 2015, 5, 1532-1543.

5. Liu, X.F.*; Sun, G.S.; Liu, B.; Yan, G.G.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Chen, Y.; Dong, L.; Zheng, L.; Liu, S.B.; Tian, L.X.; Wang, L.; Zhao, W.S.; Zeng, Y.P. Growth of Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene-Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon Sources. Materials 2013, 6, 1543-1553.

6. Liu, X.-F.*; Sun, G.-S.; Liu, B.; Yan, G.-G.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Dong, L.; Zheng, L.; Liu, S.-B.; Tian, L.-X.; Wang, L.; Zhao, W.-S.; Zeng, Y.-P. Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates. Chinese Physics B 2013, 22, 086802.

7. Liu, B.; Sun, G.-S.; Liu, X.-F.*; Zhang, F.; Dong, L.; Zheng, L.; Yan, G.-G.; Liu, S.-B.; Zhao, W.-S.; Wang, L.; Zeng, Y.-P.; Li, X.-G.; Wang, Z.-G.; Yang, F. Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4 degrees off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2 System. Chinese Physics Letters 2013, 30, 128101.

8. 刘兴昉*，闫果果，等，P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究，智能电网，2017, 5(8): 752-756.

授权专利：

1. 刘兴昉，刘斌，等，一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，专利号：201510490653.7，授权日期：2018.04.20

2. 刘兴昉，刘斌，等，碳化硅外延层区域掺杂的方法，发明，专利号：201510490656.0，授权日期：2017.10.24

3. 刘兴昉，刘斌，等，用于碳化硅生长的高温装置及方法，发明，专利号：201510008972.X，授权日期：2017.10.27

4. 刘兴昉，刘斌，等，一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，发明，专利号：201310315012，授权日期：2016.03.02

5. 刘兴昉，郑柳，等，连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，发明，专利号：201110267894.7，授权日期：2013.09.18

6. 刘兴昉，董林，等，HTCVD法碳化硅晶体生长装置，发明，专利号：201110264570.8，授权日期：2013.06.12

7. 刘兴昉，孙国胜，等，用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法，发明，专利号：200610126999，授权日期：2009.07.15

8. 刘兴昉，孙国胜，等，一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法，发明，专利号：200710304217，授权日期：2011.05.25