李璟，女，博士，副研究员，硕士生导师。
中科院半导体照明研发中心副总工程师。1995年在内蒙古大学电子系获得学士学位。1998年在南开大学光电子薄膜器件与物理研究所获得硕士学位。2007年在中科院半导体研究所获得微电子学与固体电子学专业博士学位。曾在清华大学OLED课题组从事OLED器件物理与工艺研究六年。 2007年加入中国科学院半导体照明研发中心，主要从事LED器件物理和器件工艺技术研究以及LED新型封装与应用研究，包括：GaN基LED器件物理研究及结构设计、LED倒装集成芯片研究、阵列式高压交/直流（AC/HV）LED芯片技术研究、高清高分辨率全彩LED显示技术研究等领域。十一五期间，作为项目负责人承担“863”计划中重大项目“100lm/W功率型白光LED研究和产业化”，顺利完成课题。十二五期间，作为项目负责人承担“863”计划中重大项目“阵列式高压交/直流（AC/HV）LED芯片产业化技术研究”，开展LED高压和交流芯片技术研究。作为骨干力量参与“半导体照明工程”重大项目多项课题。从事半导体器件物理及工艺研究近18年，有着丰富的实践经验和较扎实的理论基础。中国自然科学基金LED研究领域评审专家。 相关领域发表学术论文20余篇，申请发明专利 40 余项，授权专利10项，北京市科学技术奖一等奖1项。
主要研究方向：
氮化物LED器件工艺与物理研究；新型光电子器件研究；LED新型封装与应用研究
联系方式：
E-mail：lijing2006@semi.ac.cn；电话：010-82305421
承担课题：
2011年-2013年“十二五”863计划重大项目《阵列式高压交/直流（AC/HV）LED芯片产业化技术研究》
2011年-2013年中科院院地合作项目《蓝光LED外延片关键技术开发及产业化》
2008年-2010年“十一五”863计划重大项目《100lm/W功率型白光LED研究和产业化》
主要参与课题：
2011年-2013年“十二五”863计划重大项目《150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究》
2011年-2013年“十二五”863计划重大项目《基于垂直结构的高效白光 LED 外延芯片产业化制备技术研究》
2008年-2010年“十一五”863计划重大项目半导体照明工程《半导体照明柔性集成技术的研究》
2006年-2008年“十一五”863计划重大项目半导体照明工程《新型大功率器件技术研究》
2006年-2009年“十一五”863计划重大项目半导体照明工程《功率型超高亮度100流明瓦LED产业化制作技术》
代表性论文：
1．LI Jing, MA Xiao-Yu，LIU Yuan-Yuan,et al.,“High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980-nm，” Chinese Journal of Semiconductors, Vol.28, No.5, 2007
2. Yiyun Zhang, Jing Li, Tongbo Wei, Jing Liu, Xiaoyan Yi, Guohong Wang, and Futing Yi. Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured Indium Tin Oxide layer using self-assembled Cesium Chloride nanospheres. Japanese Journal of Applied Physics 51 020204(2012)
3．Teng Zhan, Jing Li, Jinxia Guo, Xiaoyan Yi, Zhiqiang Liu, Guohong Wang. “Enhancement of Light Output Power of GaN-Based Monolithic Light-Emitting Diodes array by curved GaN sidewall and air-bridge metal interconnect.” E-MRS 2013 SPRING MEETING, Oral, 28/05/2013 - 17h45 - session J.IX. – ref. 2.
4．Teng Zhan, Yang Zhang, Jing Li , Xiaoyang Yi, Guohong Wang. The fabrication of GaN-based high-voltage light-emitting diodes array. 9th China International Forum on Solid State Lighting