沈国震，男，博士，研究员，博士生导师。
1999年在安徽师范大学获学士学位，2003年在中国科学技术大学获得博士学位。2004年2月-2013年2月分别在韩国汉阳大学、日本国立材料研究所、美国南加州大学以及华中科技大学从事科研工作。2013年加入中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作。2016年获国家杰出青年研究基金资助，2014-2019连续多年入选Elsevier中国高被引学者榜单，2019年入选汤姆路透全球高被引学者，2012年入选教育部新世纪优秀人才支持计划。现为英国皇家化学会会士、中国材料研究学会理事。担任Advanced Materials Technologies、Nanoscale Research Letters、Journal of Semiconductors、Progress in Natural Science: Materials International等十余种期刊编辑/编委等。
长期从事低维半导体材料与相关柔性器件的研究工作，在面向人工智能/智能机器人以及医疗健康监控等应用的柔性视觉、触觉、味觉传感器等领域取得了多项原创性科研成果。迄今在Chemical Society Reviews, Advanced Materials, Nano Letters等国际权威期刊发表SCI收录论文300余篇，总引用超过两万此。主编《柔性电子学》和《纳米线电子学》英文专著两部。
获得奖励情况：
2017年，中国材料研究学会科学技术一等奖（排名第一）
2017年，北京市科学技术二等奖（排名第一）
2016年，获国家杰出青年科学基金资助
2015年，获茅以升科学技术奖-北京青年科技奖
2014年，国际超晶格、纳米结构与纳米器件大会青年科学家奖
2011年，教育部新世纪优秀人才
主要研究领域或方向：
围绕低维半导体材料，开展系统的柔性器件的设计、组装及大规模印刷制备等的研究，目前的主要研究内容包括以下几个方面：
1. 柔性电子/光电子器件：柔性晶体管、柔性光电探测器、柔性传感器等。
2. 柔性芯片储能器件：微型超级电容器、锂电池等。
3. 柔性储能-传感一体化系统及印刷电子技术在柔性器件上的应用。
联系方式：
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，
邮箱：gzshen@semi.ac.cn; 电话：010-82304151
课题组网页：https://www.x-mol.com/groups/flextronics
在研/完成国家级项目：
1. 国家自然科学基金委基础科学中心项目，低维信息器件
2. 国家杰出青年科学基金，柔性电子学；
3. 国家自然科学基金面上项目，锑基半导体纳米线的有序排列与红外探测器件的研制；
4. 国家自然科学基金面上项目，基于多元金属氧化物纳米线的紫外光探测器件的研究；
5. 国家自然科学基金“纳米制造的基础研究”重大研究计划培育项目，基于II-V族p型半导体一维纳米结构的纳米器件的制造研究；
6. 国家重点基础研究发展计划（973计划）重大科学问题导向性项目“高效低成本新型薄膜光伏材料与器件的基础研究”；
7. 国家自然科学基金青年基金项目，基于金属氧化物异质纳米线的全透明柔性薄膜晶体管研究；
近期代表性论文或著作：
1. An integrated flexible all-nanowire infrared sensing system with record photosensitivity, Wenhao Ran, Lili Wang, Shufang Zhao, Depeng Wang, Ruiyang Yin, Zheng Lou,* Guozhen Shen,* Advanced Materials, 2020, 32, 1908419.
2. Reviews of wearable healthcare systems: materials, devices and system integration, Zheng Lou, Lili Wang, Kai Jiang, Zhongming Wei, Guozhen Shen,* Materials Science & Engineering R-Reports, 2020, 140, 100523.
3. Grain-Boundary-Induced Drastic Sensing Performance Enhancement of Polycrystalline-Microwire Printed Gas Sensors, Lili Wang, Shuai Chen, Wei Li, Kang Wang, Zheng Lou,* Guozhen Shen,* Advanced Materials, 2019, 31, e1804583.
4. An Artifcial Flexible Visual Memory System Based on an UV-Motivated Memristor, Shuai Chen, Zheng Lou, Di Chen,* Guozhen Shen,* Advanced Materials, 2018, 30, 1705400.
5. New insights and perspectives into biological materials for flexible electronics. Lili Wang, Di Chen, Kai Jiang, Guozhen Shen,* Chemical Society Reviews, 2017, 46, 6764.
6. ZnO quantum dots decorated Zn2SnO4 nanowire heterojunction photodetectors with drastic performance enhancement and flexible ultraviolet image sensors, Ludong Li, Leilei Gu, Zheng Lou, Zhiyong Fan*, and Guozhen Shen*, ACS Nano, 2017, 11, 4067.
7. An ultra-sensitive and rapid response speed graphene pressure sensors for electronic skin and health monitoring, Zheng Lou, Shuai Chen, Lili Wang, Kai Jiang,* and Guozhen Shen,* Nano Energy, 2016, 23, 7-14.
8. Flexible electronics based on inorganic nanowires, Zhe Liu, Jing Xu and Guozhen Shen,* Chemical Society Reviews, 2015, 44, 161-192.
9. Fiber-based all-solid-state asymmetric supercapacitors for integrated photodetecting system, Xianfu Wang, Bin Liu, Rong Liu, Qiufan Wang, Xiaojuan Hou, Di Chen,* Rongming Wang,* and Guozhen Shen*, Angewandte Chemie-International Edition, 2014, 53, 1849-1853.
10. Flexible energy storage devices: design consideration and recent progress, Xianfu Wang, Xihong Lu, Bin Liu, Di Chen, Yexiang Tong,* and Guozhen Shen,* Advanced Materials, 2014, 26, 4763-4782.