陈涌海，男，博士，研究员，博士生导师。

国家杰出青年科学基金获得者、 新世纪百千万人才工程国家级人选、国务院政府特殊津贴获得者，国家重大科学研究计划首席科学家。1990年于北京大学物理系获学士学位，1993年于北京科技大学物理系获硕士学位，1993年至今在中科院半导体所从事半导体材料物理研究工作；98年在半导体所获材料物理学博士学位，曾先后三次前往香港科技大学物理系进行合作研究。

主要科研成果：

发展了反射差分光谱技术，揭示了应变自组织生长的物理机制，揭示了界面原子偏析、界面结构和应变对量子阱光学偏振性质的重要影响，提出了测量量子阱激子的各向异性交换分裂、塞曼劈裂以及VCSEL腔模劈裂的新方法,提出了表征衬底材料表面亚损伤和内应力分布的新方法。基于圆偏振光电流技术，在国际上首次观察到GaN基、GaAs基等低维半导体材料的圆偏振自旋光电流效应（CPGE）、反常圆偏振自旋光电流效应、光致反常霍尔效应（AHE）等多种自旋光电流效应。先后主持了国家重点基础规划项目（973项目）和国家自然科学基金重大项目等十余项国家级科研项目,在Phys. Rev. Lett.、 Nano Letters、 Appl. Phys. Lett.等国际刊物发表论文200多篇，获得国家发明专利10余项。

主要研究方向：

1）半导体低维结构材料和纳米材料的光学研究； 2）半导体偏振调制光谱技术及应用，主要包括反射差分谱、微区应力成像等；3）半导体自旋电子学和圆偏振自旋光电流研究等。

联系方式：

E-mail: yhchen@semi.ac.cn; 电话：010－82304815

承担和参加项目：

• 国家重点研发专项课题：“中远红外及THz量子级联激光器研究”（2016-2021）

• 国家重点研发专项课题：“非平衡条件下AlGaN基量子结构的外延生长和深紫外发光规律”（2016-2021）

• 国家自然科学基金面上基金：“自旋注入二极管的圆偏振光电流光谱研究”（2016-2019）

• 国家自然科学基金面上基金：“圆偏振光激发的反常霍尔效应研究”（2015-2018）

• 国家重点基础规划项目课题：量子级联材料能带工程设计及性能预测（2012-2017）

• 国家重大研究计划项目课题：量子输运中的自旋轨道耦合效应及其调控（2011-2016）

• 国家自然科学基金重大项目课题：“半导体量子结构自旋分裂效应及其调控”（2010－2013）

• 国家杰出青年基金项目：“半导体异质结”（2007－2011）

• 国家重点基础规划项目：“半导体光电信息功能材料的基础研究”（2006－2010，首席科学家）

代表性论文和著作：

• 《纳米半导体技术》，王占国，陈涌海，叶小玲编著，化学工业出版社，2006年4月。

• Yuan Li, Yu Liu, Laipan Zhu, Xudong Qin, Qing Wu, Wei Huang, Zhichuan Niu, Wei Xiang, Hongyue Hao, and Yonghai Chen, Observation of interface dependent spin polarized photocurrents in InAs/GaSb superlattice, Applied Physics Letters 106, 192402 (2015)

• Hongyi Zhang, Yongheng Huo, Klas Lindfors, Yonghai Chen, Oliver G. Schmidt, Armando Rastelli, and Markus Lippitz, Narrow-line self-assembled GaAs quantum dots for plasmonics, Applied Physics Letters 106, 101110 (2015);

• J. L. Yu,S. Y. Cheng,Y. F. Lai, Q. Zheng, Y. H. Chen, and C. G. Tang, Tuning of in-plane optical anisotropy by inserting ultra-thin InAs layer at interfaces in (001)-grown GaAs/AlGaAs quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 015302 (2015)

• Shan Zhang, Ning Tang, Weifeng Jin, Junxi Duan, Xin He, Xin Rong, Chenguang He,Lisheng Zhang, Xudong Qin, Lun Dai, Yonghai Chen, Weikun Ge, and Bo Shen, Generation of Rashba Spin−Orbit Coupling in CdSe Nanowire by Ionic Liquid Gate, Nano Lett. 2015, 15, 1152−1157

• H. S. Gao、Y. Liu、H. Y. Zhang、S. J. Wu、C. Y. Jiang、J. L. Yu、L. P. Zhu、Y. Li、W. Huang、Y. H. Chen， Microscopic reflection difference spectroscopy for strain field of GaN induced by Berkovich nanoindentation ，Applied Physics Letters, 104卷, p 053106, 2014

• Fuhong Mei、Shan Zhang、Ning Tang、Junxi Duan、Fujun Xu、Yonghai Chen、Weikun Ge、Bo Shen ，Spin transport study in a Rashba spin-orbit coupling system ，SCIENTIFIC REPORTS, 4卷, p4030,2014

• Yin, Chunming、Yuan, Hongtao、*Wang, Xinqiang、Liu, Shitao、Zhang, Shan、Tang, Ning、Xu, Fujun、Chen, Zhuoyu、Shimotani, Hidekazu、Iwasa, Yoshihiro、Chen, Yonghai、Ge, Weikun、Shen, Bo ，Tunable Surface Electron Spin Splitting with Electric Double-Layer Transistors Based on InN ，NANO LETTERS, 13(5), pp2024-2029, 2013

• Ma, Hui、Jiang, Chongyun、Liu, Yu、Zhu, Laipan、Qin, Xudong、*Chen, Yonghai ，Identifying different mechanisms of circular photogalvanic effect in GaAs/Al0.3Ga0.7As two dimensional electron gas by photo-modulation technique ，APPLIED PHYSICS LETTERS, 102(23), p 232402, 2013

• Ma, Hui、Jiang, Chongyun、Liu, Yu、Yu, Jinling、*Chen, Yonghai ，Helicity dependent photocurrent enabled by unpolarized radiation in a GaAs/Al0.3Ga0.7As two-dimensional electron system ，APPLIED PHYSICS LETTERS,102(21), p 212103, 2013

• Yu, J. L.、*Chen, Y. H.、Liu, Y.、Jiang, C. Y.、Ma, H.、Zhu, L. P.、Qin, X. D. ，Intrinsic photoinduced anomalous Hall effect in insulating GaAs/AlGaAs quantum wells at room temperature ，APPLIED PHYSICS LETTERS, 102(20), p 202408, 2013

• Yu, J. L.、*Chen, Y. H.、Liu, Y.、Jiang, C. Y.、Ma, H.、Zhu, L. P.、Qin, X. D. ，Observation of circular dichroism in (001)-oriented P-I-N InGaAs/GaAs quantum wells without magnetic field ，APPLIED PHYSICS LETTERS, 102(7), p 072404, 2013

• Yu, J. L.、*Chen, Y. H.、Liu, Y.、Jiang, C. Y.、Ma, H.、Zhu, L. P. ，Spectra of Rashba- and Dresselhaus-type circular photogalvanic effect at inter-band excitation in GaAs/AlGaAs quantum wells and their behaviors under external strain ，Applied Physics Letters, 100(15), p 152110, 2012

• Yu, J. L.、*Chen, Y. H.、Jiang, C. Y.、Liu, Y.、Ma, H.、Zhu, L. P. ，Observation of the photoinduced anomalous Hall effect spectra in insulating InGaAs/AlGaAs quantum wells at room temperature ，Applied Physics Letters, 100(14), p 142109, 2012

• Jiang, Chongyun、Ma, Hui、Yu, Jinling、Liu, Yu、*Chen, Yonghai ，Ratchet effect induced by linearly polarized near- and mid-infrared radiation in InAs nanowires patterned quasi two-dimensional electron system ，Applied Physics Letters, 99(3), p 032106, 2011

• Jiang, Chongyun、*Chen, Yonghai、Ma, Hui、Yu, Jinling、Liu, Yu ，Circular photogalvanic effect induced by near-infrared radiation in InAs quantum wires patterned quasi-two-dimensional electron system ，Applied Physics Letters, 98(23), p 232116, 2011

• In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy. J. L. Yu, Y. H. Chen, X. L. Ye, C. Y. Jiang, and C. Y. Jia,，J. Appl. Phys., 2010. 108: p. 013516.

• Photoexcited charge current for the presence of pure spin current，Yu Liu, Yonghai Chen, and Zhanguo Wang， APPLIED PHYSICS LETTERS 96, 262108 (2010)

• Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films,Q. Zhang, X. Q. Wang,C. M. Yin,1 F. J. Xu, N. Tang,B. Shen,Y. H. Chen, K. Chang, W. K. Ge, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 041907 (2010)

• Tuning the Exciton Binding Energies in Single Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots by Piezoelectric-Induced Biaxial Stress, F. Ding, R. Singh, J. D. Plumhof, T. Zander,V. Krapek, Y. H. Chen, M. Benyoucef, V. Zwiller, K. Dorr, G. Bester, A. Rastelli, and O. G. Schmidt, PRL 104, 067405 (2010)

• Gate controlled Aharonov-Bohm-tye oscillations from single neutral excitons in quantum rings, F. Ding, N. Akopian, B. Li, U. Perinetti, A. Govorov, F. M. Peeters, C. C. Bof Bufon, C. Deneke,1, Y. H. Chen, A. Rastelli, O. G. Schmidt, and V. Zwiller, PHYSICAL REVIEW B 82, 075309 (2010)

• Stretchable Graphene: A Close Look at Fundamental Parameters through Biaxial Straining, Fei Ding, Hengxing Ji, Yonghai Chen, Andreas Herklotz, Kathrin Dorr, Yongfeng Mei, Armando Rastelli, and Oliver G. Schmidt, Nano Lett. 10, 3453–3458（2010）

• Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling in GaN-based heterostructures probed by the circular photogalvanic effect under uniaxial strain，Chunming Yin,Bo Shen,Qi Zhang,Fujun Xu, Ning Tang, Longbin Cen, Xinqiang Wang, Yonghai Chen,and Jinling Yu，APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 181904 (2010)