段瑞飞，男，博士，副研究员，硕士生导师。 

　　1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位，2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位，2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003－2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今在半导体所工作。 

　　主要研究领域方向： 

　　化合物半导体外延以及其在氮化物LED等光电子器件中的应用，涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生长III-V族化合物，主要包括氮化物的同质衬底、LED外延材料以及LED器件制备等领域。 

　　目前承担863重大项目“半导体照明工程”子课题”HVPE法制备GaN同质衬底“，参与相关863项目以及基金项目等多项。在国内外刊物上发表相关论文十余篇，申请专利多项。 

　　联系方式： 

　　电话：010-82305083； E-mail：duanrf@semi.ac.cn