徐应强，男，博士，研究员，博士生导师。

　　1999年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位。2005年毕业于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2005年起主要从事Sb化物红外光电材料MBE生长及相关器件的设计与制造。

　　主要研究领域或方向：

　　低维半导体材料分子束外延生长；GaSb基半导体器件制造。

　　联系方式：

　　电话：010-82304059； E-mail：yingqxu@semi.ac.cn。

　　在研/完成项目：

　　1、1.7-2.5μm GaInNAsSb/GaAs近红外材料生长与器件应用，国家自然基金面上项目，60607016

　　2、基于 InAs/GaSb 超晶格的新型中波红外雪崩光电二极管，国家自然基金面上项目，61274013

　　3、InAs/GaSb II类超晶格探测器研究，航空科学基金实验室类项目，20100136001

　　4、新型Sb化物纳米结构THz器件性能测试，国家重大科学仪器设备开发专项子课题，2012YQ40005　　　

　　代表性论文或著作：

　　1、Xu, Yingqiang, Tang, Bao, Wang, Guowei, Ren, Zhengwei, Niu, Zhichuan,” 2-5m InAs/GaSb superlattices infrared photodetector”, Infrared and Laser Engineering, 40, 1403-1406, 2011

　　2、徐应强，牛智川，王国伟，汤宝，王娟，任正伟，贺振宏，Sb化物材料与光电器件研究最新进展，《第九届全国分子束外延学术会议》，大会邀请报告。2011年7月4-8，哈尔滨。

　　3、Wang Guo-Wei, Xu Ying-Qiang, Guo Jie, Tang Bao, Ren Zheng-Wei, He Zhen-Hong, Niu Zhi-Chuan, "Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection" ，Chin. Phys. Lett., 27, 245, 2010。