徐应强

徐应强,男,博士,研究员,博士生导师。  

  1999年毕业于武汉大学物理系,获理学学士学位。2005年毕业于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2005年起主要从事Sb化物红外光电材料MBE生长及相关器件的设计与制造。 

  主要研究领域或方向: 

  低维半导体材料分子束外延生长;GaSb基半导体器件制造。 

  联系方式: 

  电话:010-82304059; E-mailyingqxu@semi.ac.cn 

  在研/完成项目: 

  11.7-2.5μm GaInNAsSb/GaAs近红外材料生长与器件应用,国家自然基金面上项目,60607016 

  2、基于 InAs/GaSb 超晶格的新型中波红外雪崩光电二极管,国家自然基金面上项目,61274013 

  3InAs/GaSb II类超晶格探测器研究,航空科学基金实验室类项目,20100136001 

  4、新型Sb化物纳米结构THz器件性能测试,国家重大科学仪器设备开发专项子课题,2012YQ40005     

  代表性论文或著作: 

  1Xu, Yingqiang, Tang, Bao, Wang, Guowei, Ren, Zhengwei, Niu, Zhichuan,” 2-5m InAs/GaSb superlattices infrared photodetector”, Infrared and Laser Engineering, 40, 1403-1406, 2011 

  2、徐应强,牛智川,王国伟,汤宝,王娟,任正伟,贺振宏,Sb化物材料与光电器件研究最新进展,《第九届全国分子束外延学术会议》,大会邀请报告201174-8,哈尔滨。 

  3Wang Guo-Wei, Xu Ying-Qiang, Guo Jie, Tang Bao, Ren Zheng-Wei, He Zhen-Hong, Niu Zhi-Chuan, "Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection" Chin. Phys. Lett., 27, 245, 2010