袁国栋

袁国栋,男,博士,研究员,博士生导师

19777月生,2006年获浙江大学硅材料国家重点实验室半导体材料工学博士学位。20062012先后在香港城市大学、德国波鸿鲁尔大学和德国柏林洪堡大学从事博士后研究,2012年到中国科学院半导体研究所工作,2014年获国家优秀青年科学基金资助

取得的主要学术成绩:

揭示了H钝化硅纳米线表面空穴积累及分子吸附间关联机制,建立了氢分子和氧分子共存的氧化还原对和纳米结构材料体系核-壳理论模型;提出黑硅表面重构技术,有效平衡了黑硅光伏电池表面光子捕获及载流子复合间的矛盾,显著改善了光伏转换效率;面向硅基光电子/微电子集成,提出与CMOS兼容的Si100)衬底V形槽技术,实现了高质量氮化物半极性量子结构生长,研制出Si100)基半极性蓝光及黄光LED近年来在Adv. Mater., Nano Lett.ACS Nano等国内外重要刊物上发表论文80余篇,SCI论文被他引2000多次。

主要研究领域或方向

1硅量子器件

2硅基光电子材料

3硅基光伏材料及器件

4硅基氮化物材料外延及LED

现招收微电子及固体电子学专业博士硕士研究生和博士后,欢迎材料、物理、电子工程等专业学生报考!

联系方式:

电子邮箱:gdyuan@semi.ac.cn   办公电话:010-82305494

在研/完成项目

1. 国家自然科学基金(优秀青年基金):纳米线晶体管器件及其表/界面特性研究2015-2017 

2. 国家自然科学基金(面上项目):面向与IC工艺兼容的Si100)衬底高亮度3D发光器件研究2015-2018

3. 国家自然科学基金(青年基金):低成本多孔黑硅材料可控制备及其高效太阳能电池研究(2013-2015

4. 中国科学院百人计划项目:微纳结构硅材料及其高效太阳能电池研究2013-2016

5. 中科院战略先导科技专项(B类):光电融合与调控前沿研究(2020-2024

代表性论文

1. S. Zhao, G. D. Yuan*, Q. Wang, W. Q. Liu, R. Wang, S. H. Yang, Quasi-hydrophilic black silicon photocathodes with inverted pyramid arrays for enhanced hydrogen generation, Nanoscale, 12(2020)316

2. S. Zhao, G.D. Yuan*, Q. Wang, W. Q. Liu, S. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, J. M. Li, Morphology control of c-Si via facile copper-assisted chemical etching: Managements on etch end-points, Appl. Sur. Sci. 489(2019) 776

3. Q. Wang, G. D. Yuan*, W. Q. Liu, S. Zhang, L. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, J. M. Li, Monolithic semipolar (1-101) InGaN/GaN near white light-emitting diodes on micro-striped Si (100) substrate, Chin. Phys. B, 28(2019) 087802

4. Q. Wang, G. D. Yuan*, S. Zhao, W. Q. Liu, Z. Q. Liu, J. X. Wang, J. M. Li, Metal-assisted photochemical etching of GaN nanowires: the role of metal distribution, Electrochem. Comm. 103(2019) 66

5. Q. Wang, G. D. Yuan*, W. Q. Liu, S. Zhao, Z. Q. Liu, Y. Chen, J. X. Wang, J. M. Li, Semipolar (1-101) InGaN/GaN red-amber-yellow light-emitting diodes on triangular-striped Si (100) substrate, J. Mater. Sci., 54 (2019) 7780

6. Q. Wang, G. Yuan, T. Wei, Z. Liu, W. Liu, L. Zhang, X. Wei, J. Wang and J. Li, Multicolored-light emission from InGaN/GaN multiple quantum wells grown by selective-area epitaxy on patterned Si(100) substrates. J. Mater. Sci. 53 (2018) 16439 

7. H. Y. Chen, G. D. Yuan*, Y. Peng*, M. Hong, Y. B. Zhang, Y. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, B. Cai, Y. M. Zhu, J. M. Li, Enhanced performance of solar cells with optimized surface recombination and efficient photon capturing via anistropic-etching of black silicon, Appl. Phys. Lett., 104 (2014) 193904

8. M. Hong, G. D. Yuan*, Y. Peng*, H. Y. Chen, Y. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, B. Cai, Y. M. Zhu, Y. Chen, J. H. Liu, J. M. Li, Control carrier recombination of multi-scale textured black silicon surface for high performance solar cells, Appl. Phys. Lett.104 (2014) 253902

9. G. D. Yuan, R. Mitdank, A. Mogilatenko, S. F. Fischer, Porous nanostructures and thermoelectric power measurement of electroless-etched black silicon, J. Phys. Chem. C, 116 (2012) 13767.

10. G. D. Yuan, Y. B. Zhou, C. S. Guo, W. J. Zhang, Y. B. Tang, Y. Q. Li, Z. H. Chen, Z. B. He, X. J. Zhang, P. F. Wang, I. Bello, R. Q. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, Tunable electrical properties of silicon nanowires via surface ambient chemistry, ACS Nano 4 (2010) 3045.