崔利杰，男，博士，副研究员，硕士生导师。 

　　1996年在内蒙古大学物理系获得学士学位，1999年在北京科技大学材料物理系获得硕士学位，2002年6月在中国科学院半导体研究所获得博士学位，2002年7月在中国科学院半导体研究所博士后工作站，开展了GaAs基MHEMT、InP基InAlAs/InGaAs HEMT材料生长与器件制作项目的研究，2003年4月-2004年3月在香港科技大学电气与电子工程系开展合作项目“GaAs基MHEMT器件制备的研究”。2004年11月至今在中国科学院半导体研究所工作，从事分子束外延生长III-V族、II-VI族化合物半导体薄膜材料与器件的研究，先后进行InxGa1-xAs (x>=0.53)量子阱中二维电子气零磁场自旋-轨道耦合方面的研究，以及低温GaAs光导体THz（太赫兹）发射用材料与器件方面的研究。作为课题负责人，主持了国家自然科学基金面上项目: InxGa1-xAs (x>=0.53)量子阱中二维电子气的Rashba零磁场自旋分裂研究(2007.1-2009.12),同时与首都师范大学物理系合作申请到北京市自然科学基金预研项目:太赫兹电磁波产生与探测的机理研究(2007.3-2008.8)。现负责在研1项国家自然科学基金面上项目“新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究” (2014.1-2017.12)。已在国内外刊物上发表论文54篇，授权发明专利2项。 

　　主要研究方向： 

　　1. GaAs、InP基化合物半导体薄膜材料分子束外延生长与器件应用研究； 

　　2. ZnSe、CdSe、ZnTe等II-VI族外延材料与新型光电器件的应用研究； 

　　3. 大失配InGaAs/Si异质材料的外延生长及其性能研究； 

　　4. 量子阱中二维电子气的自旋轨道耦合研究。 

　　联系方式： 

　　电话：010-82304101；　　E-mail：ljcui@semi.ac.cn  

　　代表性论著: 

　　1. L. J. Cui, Y. P. Zeng, B. Q. Wang, Z. P. Zhu, L. Y. Lin, C. P. Jiang, S. L. Guo, and  J. H. Chu,“Zero-field spin splitting in In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates using Shubnikov-de Haas measurements”，Appl. Phys. Lett., 80, 3132 (2002). 

　　2. L. J. Cui, Y.P. Zeng, B. Q. Wang, J. Wu, Z. P. Zhu, and L. Y. Lin,“Rapid thermal annealing effects on step-graded InAlAs buffer layer and    In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates”,J. Appl. Phys., 91, 2429 (2002). 

　　3. L. J. Cui, Y. P. Zeng, B. Q. Wang, Z. P. Zhu,S. L. Guo, and  J. H. Chu,“Correlation between optical and electrical properties in In0.52Al0.48As/InxGa1−xAs metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates”,J. Appl. Phys., 100, 033705 (2006). 

　　4. L. J. Cui, Y. P. Zeng, B. Q. Wang, Z. P. Zhu,“Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy”,J. Crystal Growth, 293, 291 (2006). 

　　5. L.J. Cui, Y.P. Zeng, G.Z. Zhao, “Terahertz pulse generation with LT-GaAs photoconductive antenna”, The Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics（IRMMW－THz2006）.  

　　6. C. L. Yang, H. T. He, Lu Ding, L. J. Cui, Y. P. Zeng, J. N. Wang, and W.K. Ge,“Spectral Dependence of Spin Photocurrent and Current-Induced Spin Polarization in an InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas”,Phys. Rev. Lett., 96,186605 (2006).  

　　7. Jie Zhao, Yiping Zeng, Chao Liu, Lijie Cui, Yanbo Li, “Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(0 0 1) by molecular beam epitaxy”, Appl. Surf. Sci.,256, 6881 (2010) . 

　　8. Zhao Jie;  Zeng Yiping;  Liu Chao; Cui Lijie, “Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy”, Vacuum, 86(8), pp1062-1066 (2012) . 

　　9. Yang Qiumin;  Liu Chao;  Cui Lijie;  Zhang Linen;  Zeng Yiping, “Structural, surface, and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers”，Applied Physics A: Materials Science and Processing, p 1-5 (2013) . 

　　10. Zhang Yuwei;  Zhang Yang;  Guan Min;  Cui Lijie;  Wang Chengyan;  Zeng Yiping, “Theoretical study of transport property in InAsSb quantum well heterostructures”, Journal of Applied Physics, 114(15) (2013) .