常凯，男，博士，研究员，中科院院士，博士生导师。

　　1964年8月出生于安徽潜山，1996年北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获理学博士学位。1996年-1998年在中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士后，1998年-2001年赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。现任中科院半导体所超晶格国家重点实验室研究员，主要从事半导体物理的理论研究工作。

　　一直致力于半导体基础物理及其器件物理研究；共发表SCI论文111篇，其中PRL 10篇， Nature Materials 1篇，Nature Nanotechnogy 1篇，ACS Nano 1篇，Nano Research 1篇，PRB 36篇，APL 20篇。论文SCI他人引用2100余次，多项工作得到国际同行的正面评价和承认，并被写入综述文章和专著中。他先后担任国家自然科学基金委的评审专家，主持和参加国家重大基础研究计划项目课题，2004年度获得国家自然科学二等奖（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬），2005年度获得国家杰出青年基金资助，2013年入选国家百千万人才工程；并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”。被授予2013年度中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。多次在国际学术会议做邀请报告，例如美国物理学会March Meeting和第31届国际半导体物理大会。2013年第17届窄能隙半导体物理会议主席；2015年（德国）第18届国际程序委员会委员；2015年（日本）二维电子气物理会议（EP2DS-21）程序委员会委员；2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席；中国物理学会凝聚态理论与统计物理专业委员会委员；半导体物理专业委员会委员。

　　联系方式：

　　电话：010-82304438； E-mail：kchang@semi.ac.cn

　　近期研究兴趣：

　　1. 低维半导体结构中自旋－轨道耦合和自旋霍尔效应；

　　2. 自旋态的弛豫和相干控制；

　　3. 磁性半导体；

　　4. 石墨烯中基础物理问题；

　　5. 拓扑绝缘体中自旋和电荷输运；

　　完成/在研主要项目：

　　国家自然科学基金面上项目："半导体纳米结构的光学性质"(2000－2002)，特优；

　　杰出青年基金 （2006－2010）

　　国家自然科学基金重点项目

　　近年代表性论文：

　　1，Y.-M. Li， J. Li, L.-K. Shi, D. Zhang, W. Yang, and Kai Chang, “Light-Induced Exciton Spin Hall Effect in van der Waals Heterostructures”, Phys. Rev. Lett. 115, 166804 (2015).

　　2, L.-K. Li, F.-Y. Yang, G.-J. Ye, Z.-C. Zhang, Z.-W Zhu, W.-K. Lou, X.-Y. Zhou, L. Li, K.-J. Watanabe, T. Taniguchi, Kai Chang, Yayu Wang, Xian Hui Chen & Yuanbo Zhang,“Quantum Hall effect in black phosphorus two-dimensional electron system”, Nature Nanotechnology (2016) doi:10.1038/nnano.2016.42.

　　3，K.-N. Zhang, T.-N. Zhang, G.-H. Cheng, T.-X. Li, S.-X. Wang, W. Wei, X.-H. Zhou, W.-W. Yu, Y. Sun, P. Wang, D. Zhang, C.-G. Zeng, X.-J. Wang, W.-D. Hu, H.-J. Fan, Guozhen Shen, Xin Chen, Xiangfeng Duan, Kai Chang, and Ning Dai, “Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures”, ACS Nano, 10 (3), 3852–3858 (2016)

　　4. G.-Z. Jia, W.-K. Lou, F. Cheng, X. L. Wang, J.-H. Yao, N. Dai, H.-Q. Lin, Kai Chang, “Excellent photothermal conversion of core/shell CdSe/Bi2Se3 quantum dots”, Nano Research, 8, 1443 (2015).

　　5，H. J. Zhang, Y. Xu, J. Wang, Kai Chang, and S. C. Zhang, "Quantum Spin Hall and Quantum Anomalous Hall States Realized in Junction Quantum Wells", Phys. Rev. Lett. 112, 216803 (2014).

　　6，D. B. Zhang, G. Seifert, and Kai Chang, " Strain-induced Pseudomagnetic Fields in Twisted Graphene Nanoribbons " Phys. Rev. Lett. 112, 096805(2014);

　　7，D. Zhang, W. K. Lou, M. S. Miao, S. C. Zhang, and Kai Chang, " Interface-Induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs QuantumWells" Phys. Rev. Lett. 111, 156402 (2013);

　　8, Y. Jiang, T. Low, Kai Chang, M. I. Katsnelson, and F. Guinea," Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene" Phys. Rev. Lett. 110, 046601 (2013).

　　9, M. S. Miao, Q. Yan, C. G. Van de Walle, W. -K. Lou, L. L. Li, and Kai Chang "Polarization-Driven Topological Insulator Transition in a GaN/InN/GaN Quantum Well" Phys. Rev. Lett. 109, 186803 (2012).

　　10, P. H. Tan, W. P. Han, W. J. Zhao, Z. H. Wu, Kai Chang, H. Wang, Y. F. Wang, N. Bonini, N. Marzari, N. Pugno, G. Savini, A. Lombardo, A. C. Ferrari"The shear mode of multilayer graphene" Nature Materials, 11, 294 (2012);

　　11, J. J. Zhu, D. X. Yao, S. C. Zhang, and Kai Chang, " Electrically Controllable Surface Magnetism on the Surface of Topological Insulators " Phys. Rev. Lett. 106, 097201 (2011).

　　12, Z. H. Wu, F. Zhai, F. M. Peeters, H. Q. Xu and Kai Chang " Valley-dependent Brewster angles and Goos-Hänchen effect in strained graphene", Phys. Rev. Lett. 106, 176802 (2011).

　　13, Kai Chang and W. K. Lou "Helical edge states in HgTe quantum dots with inverted band structure " Phys. Rev. Lett. 106, 206802(2011)

　　14, W. Yang, Kai Chang and S. C. Zhang “Intrinsic Spin Hall Effect induced by quantum phase transition in HgCdTe Quantum Wells”, Phys. Rev. Lett. 100, 056602(2008);