樊中朝，男，博士，正高级工程师，博士生导师。

2004年于中科院半导体所获得微电子学与固体电子学专业博士学位，博士期间主要从事SOI基光波导器件及其制备研究。2004年7月进入中科院半导体所集成技术工程研究中心工作，目前研究领域主要包括GaN、SiC电力电子器件和新型光学集成器件研究。在完成国家科研课题的同时还承担多项企业委托技术开发和验证项目。在国内外核心期刊上发表/合作发表论文60余篇，获授权专利7项。

联系方式：

E-mail: zcfan@semi.ac.cn；   电话: 010-82305075

主要在研/完成项目：

1．国家自然科学基金：亚波长表面等离子体激元金属波导与SOI波导集成研究，  负责人。

2．自然基金重点项目：硅基微纳光子器件及集成，子课题负责人。

3．北京市科技计划项目：蓝宝石图形衬底关键工艺技术研究，负责人。

4．中国科学院仪器功能开发项目：ICP-RIE刻蚀设备改造，负责人。

5．北京市科技计划项目：功率器件用硅基GaN外延片研究，技术骨干。

6．中科院青年人才项目：青年创新促进会课题，负责人。

7．973项目：宽带光纤与无线信息网络中的光子集成与微纳光电集成基础研究，技术骨干。