魏同波

魏同波,男,博士,研究员,硕士生导师。

20077月在中科院半导体研究所获工学博士学位,在半导体所照明研发中心工作至今期间于2015-2016年在美国康奈尔大学电子工程系访学,第三批青促会会员主要从事宽禁带氮化物单晶生长、AlGaNInGaN材料外延生长结构设计以及相关光电器件研究先后主持和参加国家重点研发计划、自然基金、863项目和院属项目十余项。年来,系统开展了GaN单晶衬底生长纳米结构LED和探测器、紫外LED以及二维范德华外延氮化物相关研究取得的研究成果先后14次被半导体领域著名杂志Compound SemiconductorSemiconductor Today作为Highlight报道2次被 Appl. Phys. Lett.选为Featured article。已Adv. Mater.JACSAPLOL等国内外杂志发表论文120余篇,其中第一作者或通讯作者发表SCI论文63篇,申请专利40多项引用1000多次

主要研究领域或方向

1新型微纳光电子器件

2深紫外发光器件

3. 氮化物晶体材料

联系方式

Emailtbwei@semi.ac.cn Tel: 010-82305430

在研/完成项目:

1. 国家重点研发计划战略性先进电子材料专项,第三代半导体新型照明材料与器件研究(2018YFB0406700),2018-2021,在研,主持,项目首席

2. 北京市自然科学基金面上项目,二维石墨烯柔性转移氮化物LED的生长与机制研究(4182063),2018-2020,在研,主持

3国家自然基金面上项目:GaN基纳米柱LED选区外延及相关光电基础科学问题研究61474109),2015-2018结题,主持

4. 863重大项目子课题:大尺寸氮化镓衬底制备与同质外延技术研究(2014AA032605),2014-2016结题,主持

5国家自然基金面上项目半极性准同质外延绿光LED及量子效率提升技术研究61274040),2013-2016结题,主持

6. 863重大项目子课题GaN同质衬底及外延技术研究(2011AA03A103),2011-2013结题,主持

7国家自然基金青年基金M面蓝宝石非极性与半极性GaN衬底生长及相关材料问题研究(60806001),2009-2011结题,主持

代表性论文:

1. Hongliang Chang, Zhaolong Chen, Weijiang Li, Jianchang Yan, Ruihou, Shenyuan Yang*, Zhiqiang Liu, Guodong Yuan, Junxi Wang, Jinmin Li, Peng Gao*, Tongbo Wei*(通讯作者), Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate, Appl. Phys. Lett. 114, 091107 (2019)

2. Zhaolong Chen, Xiang Zhang, Zhipeng Dou, Tongbo Wei*(通讯作者), Zhiqiang Liu, Yue Qi, et al., High-brightness blue light-emitting diodes enabled by a directly grown graphene buffer layerAdv. Mater. 30, 1801608 (2018)

3. Yue Qi, Yunyu Wang, Zhenqian Pang, Zhipeng Dou, Tongbo Wei*(通讯作者), Peng Gao*, et al., Fast Growth of Strain-free AlN on Graphene-buffered SapphireJAm. Chem. Soc. 140 11935 (2018)

4. Zhuo XiongTongbo Wei*(通讯作者), Yonghui ZhangXiang Zhang, Chao Yang, Zhiqiang Liu, et al., Selective-area growth of periodic nanopyramid light-emitting diode arrays on GaN/sapphire templates patterned by multiple-exposure colloidal lithography, Nanotechnology 28, 114003 (2017)

5Tongbo Wei*(通讯作者), Jiankun Yang, Yang Wei*, Ziqiang Huo, Xiaoli Ji, Yun Zhang, et al., Cross-stacked carbon nanotubes assisted self-separation of free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy, Scientific Reports 6, 28620 (2016)

6. Zhuo Xiong, Tongbo Wei*(通讯作者), Yonghui Zhang, Junxi Wang, Jinmin Li, Multiple –exposure colloidal lithography for enhancing light output of GaN-based light-emitting diodes by patterning Ni/Au electrodes, Optics Express 24, A44 (2016)

7. Liang Shan, Tongbo Wei*(通讯作者)Yuanping Sun, Yonghui Zhang, Zhuo Xiong, et al., Super-aligned carbon nanotubes patterned sapphire substrate to improve quantum efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes, Optics Express 23, A957 (2015)

8. Tongbo Wei*(通讯作者), Xiaoli Ji, Kui Wu, Haiyang Zheng, Chengxiao Du, Qingfeng Yan, et al., Efficiency improvement and droop behavior in nanospherical-lens lithographically patterned bottom and top photonic crystal InGaN/GaN light-emitting diodes, Opt. Lett. 39, 379 (2014)  

9Tongbo Wei*(通讯作者), Ziqiang Huo, Yonghui Zhang, Haiyang Zheng, Yu Chen, Jiankun Yang, et al., Efficiency enhancement of homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes on freestanding GaN substrate with double embedded SiO2 photonic crystals, Opt. Express 22, A1093 (2014)

10Yonghui Zhang, Tongbo Wei*(通讯作者), Zhuo Xiong, Liang, Shang, Yingdong Tian, et al., Enhanced optical power of GaN-based light-emitting diode with compound photonic crystals by multiple-exposure nanosphere-lens lithography, Appl. Phys. Lett. 105, 013108 (2014) 

11. Jiankun Yang, Tongbo Wei*(通讯作者), Ziqiang Huo, Yonghui Zhang, Qiang Hu, Xuecheng Wei, et al., Defects reduction in semipolar (10-13GaN grown on m-sapphire via two-step nanoepitaxial lateral overgrowth, CrystEngComm 16, 4562 (2014)

12. Xiaoli Ji, Tongbo Wei*(通讯作者), Fuhua Yang, Hongxi Lu, Xuecheng Wei, Ping Ma, et al., Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, Opt. Express 22, A1001 (2014)

13Kui Wu, Tongbo Wei*(通讯作者), Ding Lan, Xuecheng Wei, Haiyang Zheng, Yu Chen, et al., Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on (10-11) planes using nanospherical-lens photolithographyAppl. Phys. Lett. 103, 241107 (2013)   

14Chengxiao Du, Tongbo Wei*(通讯作者), Haiyang Zheng, Liancheng Wang, Chong Geng, Qingfeng Yan, et al., Size-controllable nanopyramids photonic crystal selectively grown on p-GaN for enhanced lightextraction of light-emitting diodes, Opt. Express 21, 25373 (2013) 

15Tongbo Wei*(通讯作者), Kui Wu, Ding Lan, Qingfeng Yan, Yu Chen, Chengxiao Du, et al., Selectively grown photonic crystal structures for high efficiency InGaN emitting diodes using nanospherical-lens lithography, Appl. Phys. Lett. 101, 211111 (2012)   

16. Tongbo Wei*(通讯作者), Kui Wu, Yu Chen, Jie Yu, Qingfeng Yan, Yiyun Zhang, et al., Improving light output of vertical-stand-type InGaN light emitting diodes grown on free-standing GaN substrate with self-assembled conical arrays, IEEE Electron Device Letter 33, 857 (2012) 

17Bo Sun, Lixia Zhao*Tongbo Wei*(通讯作者), Xiaoyan Yi, Zhiqiang Liu, Guohong Wang, et al., Light extraction enhancement of bulk GaN lightemitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, Opt. Express 20, 18537 (2012) 

18. Tongbo Wei*(通讯作者), Qingfeng Kong, Junxi Wang, Jing Li, Yiping Zeng, Guohong Wang, et al., Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using CsCl nano-islands, Opt. Express 19, 1065 (2011)

19. Zhiqiang Liu, Tongbo Wei*(通讯作者), Enqing Guo, Xiaoyan Yi, Liancheng Wang, Junxi Wang, et al., Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown free-standing GaN substrate, Appl. Phys. Lett. 99, 091104 (2011)

20Tongbo Wei*(通讯作者), Qiang Hu, Ruifei Duan, Xuecheng Wei, Jiankun Yang, Junxi Wang, et al., Hydride vapor phase epitxay growth of semipolar (10-13) GaN on patterned m-plane sapphire, Journal of the Electrochemical Society 157, H721 (2010)