马文全，男，博士，研究员，博士生导师。 

　　兰州大学物理系毕业，中科院半导体所理学硕士，德国洪堡大学理学博士，博士论文工作是在柏林Paul-Drude固体电子研究所从事的，2001-2004年在美国阿肯色大学物理系从事博士后研究工作。2004年10月加入中科院半导体所，2005年度中科院百人计划入选者。长期从事低维半导体结构的材料生长、物理特性及器件研究工作。  

　　取得的重要科研成果：  

　　近几年主要取得的科研成果有：研制成功短波、中波、长波、甚长波及长/甚长波双色InAs/GaSb II型超晶格红外探测器，中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构超晶格材料X射线衍射卫星峰半宽分别为20、17 及21 弧秒，为世界最好水平；证实InSb型界面优于混合型界面，首次提出其物理原因在于混合型界面中存在反位缺陷；与兄弟单位合作研制成功二类超晶格中波红外焦平面器件,器件具有极低的噪声等效温度差,并得到质量极高的热成像。在国内首次研制成功正入射型量子点红外探测器单管器件，研制成功长波、甚长波及新型电压调制型双色量子点红外探测器。  

　　联系方式：  

　　E-mail：wqma@semi.ac.cn，电话：010-82304089  

　　在研/完成项目：  

　　1，自然科学基金“高性能长波长InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究”, 2012.1-2015.12，70万，主持。  

　　2，国家973项目“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”，2010.1-2014.12，469万，主持。  

　　3，自然科学基金重大项目“InAs /GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究”，2013.1-2017.12，416万，参加。  

　　4，自然科学基金“量子点红外探测器材料及器件物理研究”, 2015.1-2018.12，90万，主持。  

　　近几年代表性论著（*为通信作者）： 

　　1. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang, et al., “Experimental determination of band overlap in type II InAs/GaSb superlattice based on temperature dependent photoluminescence signal”, Solid State Communications, To be published（2015）. 

　　2. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang, et al., “Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector”, Appl. Phys. Lett., 106, 263502（2015）.  

　　3. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang, et al., “Narrow-band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um”, IEEE Photonics Technology Letters, 27, 2276,（2015）. 

　　4. K. Liu, W.Q. Ma*, J.L. Huang, Y.H. Zhang, et al.,“Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate”, Appl. Phys. Lett. 107 (041103), 2015 

　　5. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y. Wei, Y.H. Zhang , K. Cui, and J. Shao, “Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices”, J. Crystal Gowth. 407, 37 (2014).  

　　6. Q. Li, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang , K. Cui, J.L. Huang , Y. Wei, et al., “Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector”, Chin. Sci. Bull. 59, 3696 (2014).  

　　7. K. Cui, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang, et al., “540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier”, IEEE Electron Device Lett. 34, 759 (2013).  

　　8. X.L. Guo, W.Q. Ma*, J.L. Huang, Y.H. Zhang , Y. Wei, K. Cui, Y.L. Cao, and Q. Li, “Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy”, Semicond. Sci. Technol. 28, 045004(2013).  

　　9. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y. Wei, Y.H. Zhang , K. Cui, Y.L. Cao, X.L. Guo and J. Shao, “How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2–3 μm”, IEEE J. Quantum Electron. 48, 1322 (2012).  

　　10. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y.L. Cao, Y. Wei, Y.H. Zhang , K. Cui, G.R. Deng and Y.L. Shi, “Mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using SiOxNy passivation”, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 074002(2012).  

　　11. K. Cui, W.Q. Ma*, J.L. Huang, Y. Wei, Y.H. Zhang, Y.L. Cao, Y.X. Gu and T. Yang, “Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35μm light emission at room temperature”, Physica E. 45, 173 (2012).  

　　12. Y.H. Zhang, W.Q. Ma*, Y.L. Cao, J.L. Huang, Y. Wei, K. Cui, and J. Shao, “Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity”, Appl. Phys. Lett. 100, 173511 (2012).  

　　13. Y. Wei, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang , J.L. Huang, Y.L. Cao, and K. Cui, “High structural quality of type II InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection by interface control”, IEEE J. Quantum Electron. 48, 512 (2012).  

　　14. Y.H. Zhang, W.Q. Ma*, Y.L. Cao, J.L. Huang,, Y. Wei, K. Cui, and J. Shao, “Long wavelength infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors with InSb-like and mixed interfaces”, IEEE J. Quantum Electron. 47, 1475 (2011).  

　　15. K. Cui, W.Q. Ma*, Y.H. Zhang, J.L. Huang,, Y. Wei, Y.L. Cao, Z. Jin, and L.F. Bian, “Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure”, Appl. Phys. Lett. 99, 023502 (2011).  

　　16. Y. Wei, W.Q. Ma*, J.L. Huang, Y.H. Zhang, Y.H. Huo, K. Cui, L.H. Chen, and Y. L. Shi, “Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers”, Appl. Phys. Lett. 98, 103507 (2011).  

　　17. J.L. Huang, W.Q. Ma*, Y. Wei, Y.H. Zhang, Y.H. Huo, K. Cui, and L.H. Chen, “Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunnelling barriers”, Appl. Phys. Lett. 98, 103501 (2011).