马 平

马平,男,博士,研究员,博士生导师。 

  1999年毕业于东北大学并获学士学位。2005年毕业于中国科学院福建物质结构研究所,获物理化学博士学位。20052006年在中国科学院半导体研究所作博士后,主攻氮化物材料的外延生长。2006年博士后出站即留所工作。  

  从事III族氮化物材料外延生长及器件研制,分别在蓝宝石衬底、SiC衬底及非极性衬底上开展高效大功率LED的发光机理及发光特性研究。采用微纳米图形衬底及垂直结构工艺,结合多种新型外延结构设计,实现高效大功率蓝、绿光输出,并顺利实现产业化。作为主要研发人员主持并参与多项科研课题和相关生产任务。多次参加国内外学术会议,发表论文20余篇,申请发明专利20余项,授权多项。  

  主要研究领域: 

  1. 高效大功率蓝、绿光LED外延生长及器件研制 

  2. 一维氮化物纳米光电子器件 

  3. 新型衬底上氮化物光电子器件  

  联系方式: 

  Email: maping@semi.ac.cn  电话:01082305423  

  在研/完成项目: 

  1.  863项目功率型白光LED产业化关键技术开发20082010); 

  2. 国家发改委项目“100lm/W功率型LED产业化量产技术开发20092011); 

  3. 国家自然科学基金项目提高垂直结构LED外量子效率的新型微纳技术研究”(2012-2014) 

  代表性论著: 

  1. P. Ma, Jingbo Li, et al, “ Enhancing electroluminescence intensity in Mg doped GaN annealed in oxygen”, Appl. Phys. Lett. 93, 2008, 120112 

  2. P. Ma, Jinmin Li et al, “ High efficiency InGaN light-emitting diodes with an improved quantum well capping configuration”, The 2nd International Conference on Display and Solid state Lighting, January 30, 2008, p342 

  3. P. Ma, Tongbo Wei, et.al, “Growth of GaN thick film by HVPE on sapphire”, Chinese Journal of Semiconductors 28, 2007, 902 

  4. P. Ma, Yao Duan , Tongbo Wei, et.al, “Theoretical simulation of vertical HVPE reactor and GaN thick film growth”, The 14th National Conference on Compound semiconductor materials, Microwave and Photoelectric Devices, China, Nov. 2006 

  5. Wei Tongbo, Ma Ping, Duan Ruifei, Wang Junxi, Li Jinmin, Liu Zhe, Zeng Yiping “Cathodoluminescence and Raman research of V-shape inverted pyramid in HVPE grown GaN film”, Materials Letters, 2007, 61(18):3882-3885 

  6. Wei Tongbo, Ma ping, Duan Ruifei, Wang Junxi, Li Jinmin, Liu Zhe, Lin Guoqiang, Zeng YipingStructural and optical studies of GaN thick film grown by HVPEChinese Journal of Semiconductors28, 2007, 19 

  7. Wei Tongbo, Ma Ping, Duan Ruifei, Wang Junxi, Li Jinmin, Zeng Yiping, Columnar structures and stress relaxation in thick GaN film grown on sapphire by HVPE, Chenese Physical Letters, 24, 2007, 822