王国宏，男，博士，研究员，博士生导师。
1964年出生，1998年于中国科学院半导体研究所取得工学博士学位，1998年至今半导体研究所工作，历任光电子器件国家工程中心副主任、中科院半导体照明研发中心副主任，半导体所所长助理；兼任扬州中科半导体照明有限公司总经理。
取得的重要科研成果和所获奖励：
从事半导体发光管二极管、激光器、探测器等光电子器件材料的MOCVD生长、工艺开发及工程化研究, 作为访问学者先后访问德国亚深工业大学、日本名古屋工业大学和名城大学。负责承担过多项863、973项目，完成项目“高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术” ，并在“扬州中科半导体照明有限公司”实现产业化，发光效率大于150lm/W，2013年销售近3亿元。
相关研究获得了2012年度北京市科学技术一等奖。参与完成的项目“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”获 2014年度国家科学技术发明奖。在国内外学术刊物和会议上发表论文90余篇，申请80多项国家发明专利，其中授权20余项。培养指导博士研究生14名，硕士研究生9名。
主要研究领域或方向：
微电子和固体电子学、光电子学。
联系方式：
E-mail: ghwang@semi.ac.cn；Tel: 010-82304053
在研/完成项目：
1. 晶显示背光源用LED外延和芯片工艺技术（江苏省成果转化）；
2. GaN基LED关键技术研发及产业化（国家发改委）;
3. 半导体照明柔性平台建设（863重大项目，已完成）。
代表性论文或著作：
1. Two Distinct Carrier Localization in Green Light-emitting Diodes with InGaN/GaN Multiple Quantum Wells，J. Appl. Phys. 115, 083112 (2014)
2. Enhancing the performance of green GaN-based light-emitting diodes with graded superlattice AlGaN/GaN inserting layer，Appl. Phys. Lett. 103, 102104 (2013)
3. Enhanced performance of GaN based light-emitting diodes with a low temperature p-GaN hole injection layer，Appl. Phys. Lett., 102, 011105(2013)
4. Hexagonal Pyramids Array micro vertical Light Emitting Diodes by N-polar Wet Etching，Optics Express, Vol. 21, No. 3. 3457 (2013)
5. Pyramid Array InGaN/GaN core-Shell Light Emitting Diodes with Homogeneous Multilayer Graphene Electrodes，Applied Physics Express 6 (2013) 072102
6. Quantum Efficiency Enhancement of 530 nm InGaN Green Light-Emitting Diodes with Shallow Quantum Well，Appl. Phys. Express, 6, 05210(2013)
7. Analysis Model for Efficiency Droop of InGaN Light-Emitting Diodes Based on Reduced Effective Volume of Active Region by Carrier Localization，Appl. Phys. Express, 6, 09210(2013)
8. Phosphor-Free, Color-tunable Monolithic InGaN Light-Emitting Diodes，Applied Physics Express, 6, 102103(2013)
9. Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes，J. Appl. Phys.113,( 2013)
10. Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping，RSC Advances, 2013, 3, 3359