王晓亮

王晓亮,男,博士,研究员,博士生导师。 

  19637月生。中科院半导体所研究员;中国科学院大学教授;西安交通大学腾飞人才计划特聘教授;中国电子学会理事;中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长;中国能源学会第二届理事会理事;西安交通大学-中科院半导体所信息功能材料与器件联合实验室副主任、学术委员会委员;中国电子科技集团公司砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室学术委员会委员;电子物理与器件教育部重点实验室学术委员会委员。 

  取得的重要科研成果及所获奖励: 

  长期从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体微电子、光电子材料和器件研究工作。主持国家重大科技专项、863重大项目、自然科学基金重大项目、973项目、中科院知识创新工程重要方向项目等多项国家重大课题的研究工作。1995年起在国内率先开展了GaN基微波功率器件结构材料的研究工作,通过自主创新,取得了重大突破,形成了系统的知识产权,取得了一批具有国内领先水平、国际先进水平的突出研究成果,一些成果达到国际领先水平。并基本建成GaN基微电子外延材料和器件研制平台,实现了外延材料的批量供片。用自主研制的GaN基微电子材料,先后合作研制出我国第一支GaNHEMT器件、第一支GaNX波段微波功率器件、第一块GaN基微波单片集成电路。用自主研制的MOCVD设备,研制出了3英寸GaN基微波功率器件材料,强有力地支撑了新一代核心电子器件和电路在我国的发展。200910月研制成功我国首台一次可生长72英寸(33英寸)GaN基外延材料的MOCVD工程化样机,该样机经验证具有很好的重复性、稳定性和可靠性,其综合性能与国外同类设备相当。所取得的MOCVD制造的关键专利技术在2012年以无形资产(2000万)投资到广东中科宏微半导体设备有限公司,促进了我国信息产业核心装备-MOCVD装备的自主创新发展和工程化产业化进程。2009年在国内率先研制出InGaN太阳能电池原型器件;2011年研制成功击穿电压超过1000VGaN基二端和三端电力电子器件。 

  从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文140余篇;获得授权国家发明专利29项,实用新型专利1项;已培养并取得博士学位的研究生23名。2006年荣获中国科学院预先研究先进个人荣誉称号。2009年荣获工信部科学技术成果一等奖。2012年荣获全国优秀科技工作者荣誉称号。2012年荣获北京市科学技术奖二等奖。  

  研究领域及方向: 

  (1)宽禁带半导体材料和器件;(2)宽禁带半导体电力电子器件;(3MOCVD设备研制;(4)高效太阳能电池;(5)半导体传感器。

      联系方式:

      E-mailxlwang@semi.ac.cn  电话:010-82304170  

  在研主要项目: 

  1.国家科技重大专项 3项(2008-2013 

  2.“973”项目:InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用(2012-2016 

  3.“973”项目:毫米波GaN功率器件和电路研究(2010-2014 

  4.高技术项目:大尺寸GaN基材料外延生长研究(2011-2015 

  5.中国科学院知识创新工程重要方向项目:3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制(2011-2013 

  6.国家自然科学基金重大项目:GaN基毫米波功率器件与材料的新结构研究(2009-2012 

  代表性论著: 

  1.Jieqin Ding, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Hong Chen. A 2nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures. Applied Physics Letters,101,182102 (2012) 

  2.Yang Bi, Xiaoliang Wang, Cuimei Wang, Jianping Li, Hongxin Liu, Hong Chen, Hongling Xiao, Chun Feng and Lijuan Jiang. The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure. Eur.Phys.J.Appl.Phys. 57,30103 (2012) 

  3.Lijuan Jiang, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Zhanguo Wang, Cuibai Yang, Minglan Zhang. Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions. Applied Physics A,104,429-432 (2011) 

  4.Qingwen Deng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Qifeng Hou, Defeng Lin, Jinmin Li, Zhanguo Wang and Xun Hou. An investigation on InxGa1xN/GaN multiple quantum well solar cells. Journal of Physics D: Applied Physics, 44, 265103 (2011). 

  5.Qingwen Deng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Defeng Lin, Lijuan Jiang, Chun Feng, Jinmin Li, Zhanguo Wang, Xun Hou. Comparison of as grown and annealed GaN/InGaN:Mg Samples. Journal of Physics D: Applied Physics 44,345101 (2011) 

  6.Xu Pan, Xiaoliang Wang, Meng Wei, Cuibai Yang, Hongling Xiao, Cuimei Wang. Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer. Journal of Crystal Growth, 318, 464 (2011). 

  7.Xu Pan, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Chun Feng, Lijuan Jiang, Haibo Yin, Hong Chen. Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates. Journal of Crystal Growth, 311 ,29 (2011) 

  8.Qifeng Hou, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Cuibai Yang, Haibo Yin, Qingwen Deng, Jinmin Li, Zhanguo Wang, and Xun Hou. Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN. Applied Physics Letters,98,10,102104 (2011) 

  9.Xiaoliang Wang, Tangsheng Chen, Hongling Xiao, Jian Tang, Junxue Ran, Minglan Zhang, Chun Feng, Qifeng Hou, Lijuan Jiang, Jinmin Li, Zhanguo Wang. An Internally-matched GaN HEMTs Device with 45.2 W at 8 GHz for X band application. Solid State Electronics, 53 ,332-335(2009) 

  10.Wang Xiaoliang, Chen Tangsheng, Xiao Hongling, Wang Cuimei, Hu Guoxin, Luo Wweijun, Tang Jian, Guo Lunchun, Li Jinmin. High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz. Solid-State Electronics, 52 (6), 926-929 (2008)