王翠梅，女，博士，副研究员，硕士生导师。  

　　2006年在中科院半导体所获博士学位，自2003年至今在中科院半导体所工作，主要从事宽禁带氮化镓（GaN）基电子材料物理、设计、生长和器件研究。迄今在国内外几种主要学术刊物上发表研究论文50余篇，申请国家发明专利12项。 

　　联系方式： 

　　E-mail：cmwang@semi.ac.cn；   Tel：010-82304140。 

　　在研/完成项目： 

　　973项目“毫米波GaN器件材料研究”（2012-2015） 

　　代表性论文： 

　　 [1] Qifeng Hou，Xiaoliang Wang，Hongling Xiao，Cuimei Wang，Cuibai Yang，Jinmin Li，Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN，Chinese Physics Letter(2010)，27,057104 

　　[2] Luo Weijun, Wang Xiaoliang, Xiao Hongling, Wang Cuimei, Ran Junxue, Guo Lunchun, Li Jianping, Liu Hongxin, Chen Yanling, Yang Fuhua, Li Jinmin, Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD, Microelectronics Journal, 39 (9): 1108-1111, 2008 

　　[3] Xiaoliang Wang, Cuimei Wang, Guoxin Hu,Hongling Xiao,Cebao Fang,Junxi Wang,Junxue Ran,Jianping Li,Jinmin Li,Zhanguo Wang, “MOCVD-grown high mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate”, Journal of Crystal Growth, 2007,298,791-793； 

　　[4] Cuimei Wang, Xiaoliang Wang, Guoxin Hu, et ali，“The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures”，Journal of Crystal Growth,2006,289,415-418； 

　　[5] Cuimei Wang, Xiaoliang Wang , Guoxin Hu, et al，“Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of AlGaN/GaN HEMT structure with high Al content”，Applied Surface Science，2006, 253(2), 762-765；