邓惠雄，男，博士，副研究员，硕士生导师。 

　　中国电子学会电子产业战略分会委员。2005年毕业于内蒙古大学物理系，2010年于中国科学院半导体研究所获得博士学位。2011年4月至2014年1月在美国可再生能源国家实验室（NREL）从事博士后研究。2014年2月回中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作至今。 

　　取得的重要科研成果：  

　　1) 研究了大失配等价掺杂合金GaAs1-xNx和GaAs1-xBix能隙边缘电子态的反交叉行为，并首次以能带展开效应定性解释这一现象。2）利用第一性原理方法，解释了岩盐结构CoO的第二类型的反铁磁性(AFM-II)的物理起源。3）首次提出了氢钝化可以降低氧化物纳米结构的能隙，增强光吸收，并得到了实验验证。4）首次利用能带耦合模型解释了非晶离子化合物（如TCO材料）与非晶共价化合物间导电不均衡性的物理根源。5）发现了异价合金的价带顶波函数局域化造成了其能隙的反统计行为。6）系统地研究了晶格匹配III-V/II-VI异价超晶格的界面结构及其稳定性。 

　　主要研究领域方向： 

　　主要从事基于第一性原理方法的半导体新能源材料理论计算、物性探究与设计。 

　　联系方式： 

　　E-mail：hxdeng@semi.ac.cn； Tel：010-82304326 

　　在研/完成项目：  

　　1. 主持国家自然科学基金委面上项目“先进半导体热电材料微观机理的第一性原理研究及性能优化和设计” (2015-2018)；  

　　2. 主持国家自然科学基金委青年基金项目“透明导电氧化物纳米结构的掺杂、形状及尺寸效应的第一性原理研究” (2011-2014)；  

　　3. 参与863项目“GaN基大功率LED基础理论研究和结构优化设计” (2009-2013); 

　　代表性论文：  

　　1) Hui-Xiong Deng, Jun-Wei Luo, and Su-Huai Wei, Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces. Phys.  Rev. B 91, 075315 (2015). 

　　2) Hui-Xiong Deng, Bing Huang, Su-Huai Wei, Stable interface structures of heterovalent semiconductor superlattices: The case of (GaSb)n(ZnTe)n. Comput. Mater. Sci. 98, 340（2015). 

　　3) Jie Ma, Hui-Xiong Deng*, Jun-Wei Luo, and Su-Huai Wei，Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys. Phys. Rev. B 90, 115201 (2014) 

　　4) Bing Huang, Hui-Xiong Deng, Hoonkyung Lee, Mina Yoon, Bobby G. Sumpter, Feng Liu, Sean C. Smith, and Su-Huai Wei，Exceptional Optoelectronic Properties of Hydrogenated Bilayer Silicene, Phys. Rev. X 4, 021029 (2014). 

　　5) Hui-Xiong Deng，Jingbo Li, Aron Walsh，Shu-Shen Li, and Su-Huai Wei, Electronic origin of the conductivity imbalance between covalent and ionic amorphous semiconductors. Phys. Rev. B 87, 125203 (2013). 

　　6) Hui-Xiong Deng, Jingbo Li, Shu-Shen Li and Su-Huai Wei, Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures. Phys. Rev. B 85, 195328 (2012). 

　　7) Hui-Xiong Deng, Jingbo Li, Shu-Shen Li, Jian-Bai Xia, Haowei Peng, Lin-Wang Wang and Su-Huai Wei, Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs, Phys. Rev. B 82, 193204 (2010). 

　　8) Hui-Xiong Deng, Jingbo Li, Shu-Shen Li, Jian-Bai Xia, Aron Walsh, and Su-Huai Wei, Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study, Appl. Phys. Lett. 96, 162508 (2010). 

　　9) Hui-Xiong Deng, Shu-Shen Li, and Jingbo Li, Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots. J. Phys. Chem. C, 114, 4841 (2010). 

　　10) Hui-Xiong Deng,Xiang-Wei Jiang, Jun-Wei Luo, Shu-Shen Li, Jian-Bai Xia, and Lin-Wang Wang, Multiple valley couplings in nanometer Si metal–oxide–semiconductor–field–effect transistors. J. Appl. Phys. 103, 124507 (2008).