韦 欣

韦欣,男,博士,研究员,博士生导师。 

  197410月生,1995年、1998年分别于吉林大学获半导体物理与半导体器件物理专业学士、硕士学位。2002年于中科院半导体所获得微电子学与固体电子学博士学位。后一直留所工作。其中分别于2004——2005年于日本德岛大学进行博士后研究,20087月到20096月在美国德克萨斯州立大学奥斯汀分校做访问学者。 

  曾参与多项国家863项目和自然科学基金项目的研究工作。研究内容包括可见光激光器与发光管、长波长垂直腔面发射激光器、高功率垂直腔面发射激光器、大功率半导体激光器单管和列阵、14XX纳米大功率光纤拉曼放大器泵源等。 

  目前的研究方向: 

  主要包括GaAsInPGaSb基光电子器件结构的MOCVD生长和器件制备,尤其是红外波段探测器和激光器、垂直腔面发射激光器的研制和开发,以及表面等离激元在半导体光电子器件中的应用。 

  联系方式: 

  E-mailweix@semi.ac.cn;电话:010-82304183 

  承担的科研项目: 

  1)2007-2010,国家自然科学基金重点项目《高功率垂直腔面发射激光器的研制》,项目编号:60636030,副组长和具体负责人; 

  2)2010-2012,某特殊项目,课题负责人; 

  3)2010-2012,国家自然科学基金面上基金《表面等离子体调制的单模面发射激光器的研究》,项目编号:60906028,项目负责人; 

  4)2011-2012,某中国科学院创新基金项目,课题负责人; 

  5)2012-2016,国家重点基础研究发展计划(973计划)2012年拟立项项目,高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证,项目编号:2012CB619200,子课题负责人。