刘兴昉，男，博士，副研究员，硕士生导师。 

　　1999年毕业于中南大学材料系，获工学学士学位，2004年毕业于中南大学粉冶所，获工学硕士学位，2007年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究，工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究，主持多项课题研究工作，获得北京市产品质量创新成果奖一项，在国内外学术期刊上发表研究论文30余篇，获得国家授权专利5项。 

　　主要研究领域及方向： 

　　目前工作重点主要是碳化硅半导体、石墨烯、电力电子器件与装置的研究开发。 

　　联系方式： 

　　E-mail：liuxf@mail.semi.ac.cn； 电话：010-82304101。 

　　主持课题研究： 

　　1.4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究，国家自然科学基金，2013.1-2016.12 

　　2.用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究，北京市自然科学基金，2013.1-2015.12 

　　3.先进功率半导体材料与器件研究，企业攻关项目，2010.5-2012.6 

　　4.外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目，2008.10-2010.11 

　　参与课题研究： 

　　1．分布式智能电网关键技术研究，中国科学院知识创新工程，2009.10-2012.9 

　　2．半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究，北京市科委项目，2009.7-2010.8 

　　3．大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统，中国科学院重大科研装备项目，2007.10-2009.9 

　　代表性论文： 

　　1. Xingfang Liu, Guosheng Sun, Bin Liu, et al., Growth of Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene -Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon Sources, Materials, 6, 1543, 2013. 

　　2. Xing-Fang Liu, Guo-Sheng Sun, Bin Liu, et al., Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates, Chinese Physics B, 22, 086802, 2013. 

　　3. Lin Dong, Guosheng Sun, Jun Yu, Liu Zheng, Xingfang Liu, et al., Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates, Applied Surface Science, 270, 301, 2013. 

　　4. Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, et al., Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces, Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 210, 2503, 2013. 

　　5. Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, et al., Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates, Journal of Physics D-Applied Physics, 45, 245102, 2012. 

　　6. Min Guan, Guohua Cao, Xinbo Chu, Yang Zhang, Xingfang Liu, Yiping Zeng, Effect of MoO3-doped PTCDA as buffer layer on the performance of CuPc/C60 solar cells, Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 210, 1178, 2013. 

　　7. Xinbo Chu, Min Guan, Yang Zhang, Yiyang Li, Xingfang Liu, Yiping Zeng, ITO-free and air stable organic light-emitting diodes using MoO3:PTCDA modified Al as semitransparent anode, RSC Advances, 3, 9509, 2013. 

　　8. Bin Liu, Guo-Sheng Sun, Xing-Fang Liu, et al., Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4 degrees off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2 System, Chinese Physics Letters, 30, 128101, 2013. 

　　9. Feng Zhang, Guosheng Sun, Huolin Huang, Zhengyun Wu, Lei Wang, Wanshun Zhao, Xingfang Liu, et al., High-Performance 4H-SiC-Based Metal-Insulator- Semiconductor Ultraviolet Photodetectors With SiO2 and Al2O3/SiO2 Films, IEEE Electron Device Letters, 32, 1722, 2011. 

　　10. Feng Zhang, Guosheng Sun, Liu Zheng, Shengbei Liu, Bin Liu, Lin Dong, Lei Wang, Wanshun Zhao, Xingfang Liu, et al., Interfacial study and energy-band alignment of annealed Al2O3 films prepared by atomic layer deposition on 4H-SiC, Journal of Applied Physics, 113, 044112, 2013. 

　　11. Yang Zhang, Min Guan, Xingfang Liu, Yiping Zeng, Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in AlAs/In0.53Ga0.47As/ InAs resonant tunneling diodes, Nanoscale Research Letters, 6, 603, 2011. 

　　12. Liu Zheng, Guosheng Sun, Feng Zhang, Shengbei Liu, Bin Liu, Lin Dong, Lei Wang, Wanshun Zhao, Xingfang Liu, et al., Ab initio theoretical and photoemission studies on formation of 4H-SiC(0001)/SiO2 interface, Applied Surface Science, 280, 500, 2013. 

　　13. Liu Zheng, Feng Zhang, Sheng-Bei Liu, Lin Dong, Xing-Fang Liu, et al., High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions, Chinese Physics B, 22, 097302, 2013. 

　　14. Guo-Sheng Sun, Xing-Fang Liu, et al., Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement, Chinese Physics B, 20, 033301, 2011. 

　　15. Guo-Sheng Sun, Xing-Fang Liu, et al., Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates, Chinese Physics B, 19, 088101, 2010. 

　　16. Wei Zhou, Jinling Yang, Guosheng Sun, Xingfang Liu, Fuhua Yang, Jinmin Li, Fracture properties of silicon carbide thin films by bulge test of long rectangular membrane, Journal of Microelectromechanical Systems, 17, 453, 2008. 

　　17. Yongmei Zhao, Jin Ning, Guosheng Sun, Xingfang Liu, et al., Simulation and fabrication of the SiC-based clamped-clamped filter, 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008.  

　　18. X. F. Liu, G. S. Sun, J. M. Li, et al., Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers, Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, 4, 1609, 2007. 　　  

　　发表专利： 

　　1．刘兴昉，刘斌，一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，专利号：201310315012.9。 

　　2．刘兴昉，郑柳，连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，专利号：ZL 201110267894.7。 

　　3．刘兴昉，董林，HTCVD法碳化硅晶体生长装置，专利号：ZL 201110264570.8。 

　　4．刘兴昉，孙国胜，用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法，专利号：ZL 200610126999。 

　　5．刘兴昉，孙国胜，一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法，专利号：ZL 200710304217。